公开(公告)号：CN104851948B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201510155285.0

申请日：2015-04-03

Applicant: 同济大学

Inventor： 顾牡 ,  夏明 ,  孙寿强 ,  刘小林 ,  黄世明 ,  刘波 ,  倪晨

IPC: H01L33/26

Abstract: 本发明属于材料制备领域，其公开了一种γ‑CuI纳米线的制备方法，以多孔阳极氧化铝（Anodic Aluminum Oxide，AAO）为模板，采用真空熔融热压法。主要对AAO模板预处理，原料掺杂，真空熔融的加热温度，升温过程，气压值和降温过程和AAO模板溶解等工艺进行优化，得到了尺寸一致，连续致密的γ‑CuI纳米线。并且可以通过选用不同AAO模板可实现纳米线尺寸的精确调控。所制备的p型半导体γ‑CuI纳米线可应用于有机化学催化，太阳能电池，发光二极管等领域。同时该制备方法工艺简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN104851948A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510155285.0

申请日：2015-04-03

Applicant: 同济大学

Inventor： 顾牡 ,  夏明 ,  孙寿强 ,  刘小林 ,  黄世明 ,  刘波 ,  倪晨

IPC: H01L33/26

CPC classification number: H01L33/26

Abstract: 本发明属于材料制备领域，其公开了一种γ-CuI纳米线的制备方法，以多孔阳极氧化铝（Anodic Aluminum Oxide，AAO）为模板，采用真空熔融热压法。主要对AAO模板预处理，原料掺杂，真空熔融的加热温度，升温过程，气压值和降温过程和AAO模板溶解等工艺进行优化，得到了尺寸一致，连续致密的γ-CuI纳米线。并且可以通过选用不同AAO模板可实现纳米线尺寸的精确调控。所制备的p型半导体γ-CuI纳米线可应用于有机化学催化，太阳能电池，发光二极管等领域。同时该制备方法工艺简单，成本低廉。