公开(公告)号：CN104851948A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510155285.0

申请日：2015-04-03

Applicant: 同济大学

Inventor： 顾牡 ,  夏明 ,  孙寿强 ,  刘小林 ,  黄世明 ,  刘波 ,  倪晨

IPC: H01L33/26

CPC classification number: H01L33/26

Abstract: 本发明属于材料制备领域，其公开了一种γ-CuI纳米线的制备方法，以多孔阳极氧化铝（Anodic Aluminum Oxide，AAO）为模板，采用真空熔融热压法。主要对AAO模板预处理，原料掺杂，真空熔融的加热温度，升温过程，气压值和降温过程和AAO模板溶解等工艺进行优化，得到了尺寸一致，连续致密的γ-CuI纳米线。并且可以通过选用不同AAO模板可实现纳米线尺寸的精确调控。所制备的p型半导体γ-CuI纳米线可应用于有机化学催化，太阳能电池，发光二极管等领域。同时该制备方法工艺简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN104479672A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410663698.5

申请日：2014-11-20

Applicant: 同济大学

Inventor： 顾牡 ,  夏明 ,  刘小林 ,  黄世明 ,  刘波 ,  倪晨

IPC: C09K11/61

Abstract: 本发明涉及一种γ-CuI闪烁材料的掺杂改性方法。以高纯CuI和掺杂离子碘化物或单质为原料，进行均匀混合和充分研磨，压块后放入有气体保护的密封容器中进行烧结，可选的掺杂离子为：Zn，Cd，Hg，Mg，Ca，B，Al，Ga，In，Ge，Sn，Pb，S，Se或Te等中任一种，掺杂浓度为0.1% mol-10% mol，通过选择合适的掺杂离子、离子浓度、研磨参数和烧结温度及时间，获得了γ相的掺杂CuI材料，材料组分稳定，并具有稳定的、高强度的430nm快发光峰，同时720nm慢发光峰得到了抑制。所研制的γ-CuI材料可应用于闪烁晶体、闪烁陶瓷和闪烁转换屏的制备，相关器件可应用于高能物理、核医学成像和核技术应用等领域。

公开(公告)号：CN104851948B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201510155285.0

申请日：2015-04-03

Applicant: 同济大学

Inventor： 顾牡 ,  夏明 ,  孙寿强 ,  刘小林 ,  黄世明 ,  刘波 ,  倪晨

IPC: H01L33/26

Abstract: 本发明属于材料制备领域，其公开了一种γ‑CuI纳米线的制备方法，以多孔阳极氧化铝（Anodic Aluminum Oxide，AAO）为模板，采用真空熔融热压法。主要对AAO模板预处理，原料掺杂，真空熔融的加热温度，升温过程，气压值和降温过程和AAO模板溶解等工艺进行优化，得到了尺寸一致，连续致密的γ‑CuI纳米线。并且可以通过选用不同AAO模板可实现纳米线尺寸的精确调控。所制备的p型半导体γ‑CuI纳米线可应用于有机化学催化，太阳能电池，发光二极管等领域。同时该制备方法工艺简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN102787296A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210282563.5

申请日：2012-09-20

Applicant: 同济大学

Inventor： 顾牡 ,  夏明 ,  刘小林 ,  黄世明 ,  刘波 ,  倪晨

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  G21K4/00 ,  G01T1/20

Abstract: 本发明提供一种制备伽玛碘化亚铜超快X射线闪烁转换屏的方法。以高纯CuI为原料，采用真空热蒸镀法和气氛退火工艺，通过选择合适的蒸镀温度、衬底温度、退火处理等工作条件，在石英等衬底上制备γ-CuI闪烁转换屏，所获得的转换屏晶型为γ相，微观形貌呈垂直于衬底的微柱状结构，有利于抑制闪烁光的侧向传播，闪烁峰位于430nm，发光衰减时间为亚纳秒量级，该薄膜组分稳定、厚度均匀、无开裂，在超高速数字化X射线成像方面有着重要的应用价值。本发明适合于工业化生产，推广应用价值高。