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公开(公告)号：CN116961656B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311015488.0
申请日：2023-08-11
Applicant: 同济大学
Abstract: 本公开提供一种高精度电容型数模转换器校准方法，包括以下步骤：从电容阵列中最低位的待校准电容开始，依次对每个待校准电容，先进行正权重校准获取当前待校准电容的正权重，再进行负权重校准获取当前待校准电容的负权重；将全部电容的正权重组成正权重阵列，并将所述正权重阵列储存在数字域；将全部电容的负权重组成负权重阵列，并将所述负权重阵列储存在数字域。本公开能够解决高精度电容型数模转换器校准过程中非理想因素导致的误校准问题，大大提高了校准的精度，有效解决了高精度电容型数模转换器中由于电容失配导致的精度低的问题。
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公开(公告)号：CN116886094B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202310912661.0
申请日：2023-07-24
Applicant: 同济大学
IPC: H03M1/00 , H03M1/12 , H03K17/687
Abstract: 本公开提供一种自举开关采样电路，包括三个工作相位，保持相位φ1、预充电相位φ2、采样相位φ3。本公开的自举开关采样电路在采样相位前增加了预充电相位，将采样管栅极的寄生电容预充电至VDD。传统电路中为保证较低的导通电阻，通常将电容Cbs的尺寸设计的很大，因此增大了电路的面积和功耗。采用本公开的自举开关采样电路不需要依靠增加电容Cbs的尺寸,因此有效降低了电路的功耗和面积。同时本公开能够解决传统电路中由于电容Cp与电容Cbs分压导致的VG电压下降而使得采样管导通电阻大，导通速度慢的问题，有效降低了电路的功耗和面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116886094A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310912661.0
申请日：2023-07-24
Applicant: 同济大学
IPC: H03M1/00 , H03M1/12 , H03K17/687
Abstract: 本公开提供一种自举开关采样电路，包括三个工作相位，保持相位φ1、预充电相位φ2、采样相位φ3。本公开的自举开关采样电路在采样相位前增加了预充电相位，将采样管栅极的寄生电容预充电至VDD。传统电路中为保证较低的导通电阻，通常将电容Cbs的尺寸设计的很大，因此增大了电路的面积和功耗。采用本公开的自举开关采样电路不需要依靠增加电容Cbs的尺寸,因此有效降低了电路的功耗和面积。同时本公开能够解决传统电路中由于电容Cp与电容Cbs分压导致的VG电压下降而使得采样管导通电阻大，导通速度慢的问题，有效降低了电路的功耗和面积。
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公开(公告)号：CN116961656A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311015488.0
申请日：2023-08-11
Applicant: 同济大学
Abstract: 本公开提供一种高精度电容型数模转换器校准方法，包括以下步骤：从电容阵列中最低位的待校准电容开始，依次对每个待校准电容，先进行正权重校准获取当前待校准电容的正权重，再进行负权重校准获取当前待校准电容的负权重；将全部电容的正权重组成正权重阵列，并将所述正权重阵列储存在数字域；将全部电容的负权重组成负权重阵列，并将所述负权重阵列储存在数字域。本公开能够解决高精度电容型数模转换器校准过程中非理想因素导致的误校准问题，大大提高了校准的精度，有效解决了高精度电容型数模转换器中由于电容失配导致的精度低的问题。
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公开(公告)号：CN111324946A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010073170.8
申请日：2020-01-22
Applicant: 同济大学 , 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种4H-SiC MOSFET静态温度特性仿真分析方法，确定4H-SiC MOSFET的结构参数，利用Silvaco 平台生成相应的三维结构；通过仿真分析4H-SiC MOSFET的输出特性和温度特性，得到温度对4H-SiC MOSFET静态特性及其特征参数的影响规律。本发明基于Silvaco Tcad，建立了SiC MOSFET的三维器件模型，对不同温度下的击穿电压、转移特性和输出特性进行仿真，分析温度对其阈值电压、饱和漏电流、导通电阻等静态参数的影响规律，对于SiC器件在高温高压环境下的结构设计和制造具有重要的指导作用。
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公开(公告)号：CN111310395A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010073202.4
申请日：2020-01-22
Applicant: 同济大学 , 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: G06F30/3323
Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET非线性器件的等效电路模型及方法，将SiC MOSFET的栅漏电容CGD等效为主回路和受主回路控制选择连通的恒容支路和变容支路；主回路上串联恒值电容C0、检测主回路电流的零值电压源EC和栅漏电压VGD等效的电压源；恒容支路和变容支路上分别设置一由栅漏电压VGD控制的压控开关，其中，恒容支路上的第二压控开关与SiC MOSFET的氧化层电容Coxd串联，第一压控开关与电压控电流源GC串联。采用本发明，使原本在Simulink中不易实现的功率器件的非线性电容特性得以表征，拟合方式简单，避免了对栅漏电容物理层面的研究，与同类模型相比具有普适性，准确度高。
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公开(公告)号：CN111261697A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010073187.3
申请日：2020-01-22
Applicant: 同济大学 , 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/16 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种3300V的4H-SiC MOSFET设计方法，采用UMOSFET结构；结构参数优化为：外延层漂移区浓度8e15cm-3，外延层厚度20μm，沟道长度2.8μm。本文通过设计MOSFET的各项结构参数，在保证功率器件的耐压满足3300V的目标后，进一步优化输出特征量以满足低导通损耗和高频特性。仿真数据表明，结构参数为漂移区浓度8e15cm-3，厚度25μm，沟长2.8μm，栅氧厚度500A的MOSFET单胞可以达到4310V的击穿电压，6.1 mΩ·cm2的比导通电阻，阈值为4.81V，漏极电流110A，在6V漏级电压下栅极电荷是4.25nC。
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