用于探测器的读出芯片
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112928108B

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN201911237663.4

    申请日:2019-12-05

    Abstract: 本申请提供了一种用于探测器的读出芯片、一种探测器模块以及一种X射线系统,所述用于探测器的读出芯片包括:分布于读出芯片的中心区域处的布置成矩阵的多个像素输入焊盘PAD;分布于读出芯片的边缘处的与像素输入PAD不同的辅助PAD;分布于多个像素输入PAD和辅助PAD之间的至少一个保护环内部PAD;以及分布在辅助PAD同侧的保护环打线PAD,其中,至少一个保护环内部PAD与保护环打线PAD相连,以通过保护环打线PAD向至少一个保护环内部PAD施加偏压,且至少一个保护环内部PAD与保护环打线PAD之间的连接线不与读出芯片中的其他连接线互连。

    用于探测器的读出芯片
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112928108A

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN201911237663.4

    申请日:2019-12-05

    Abstract: 本申请提供了一种用于探测器的读出芯片、一种探测器模块以及一种X射线系统,所述用于探测器的读出芯片包括:分布于读出芯片的中心区域处的布置成矩阵的多个像素输入焊盘PAD;分布于读出芯片的边缘处的与像素输入PAD不同的辅助PAD;分布于多个像素输入PAD和辅助PAD之间的至少一个保护环内部PAD;以及分布在辅助PAD同侧的保护环打线PAD,其中,至少一个保护环内部PAD与保护环打线PAD相连,以通过保护环打线PAD向至少一个保护环内部PAD施加偏压,且至少一个保护环内部PAD与保护环打线PAD之间的连接线不与读出芯片中的其他连接线互连。

    一种半导体探测器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105759303A

    公开(公告)日:2016-07-13

    申请号:CN201610188180.X

    申请日:2013-04-26

    CPC classification number: G01T1/366

    Abstract: 本发明提供一种半导体探测器,该半导体探测器包括半导体晶体、阴极、阳极和至少一个阶梯电极;所述半导体晶体包括顶面、底面和至少一个侧面;所述阴极、所述阳极和所述阶梯电极都为沉积于所述半导体晶体表面的导电薄膜;所述阴极设于所述半导体晶体的所述底面上,所述阳极设于所述半导体晶体的所述顶面上,所述阶梯电极设于所述半导体晶体的至少一个侧面上;所述阶梯电极包括多个子电极。与现有技术相比,所述半导体探测器能够提高能量分辨率。

    探测器模块及其信号计数校正方法

    公开(公告)号:CN112929021A

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN201911237701.6

    申请日:2019-12-05

    Abstract: 本申请提供了一种探测器模块及其计数率校正方法,所述探测器模块,包括:探测器;以及读出电路,用于读出所述探测器的电信号并对所述电信号进行计数,所述读出电路包括电荷灵敏前放CSA电路、成形电路、甄别器和计数器,其中,所述读出电路还包括信号堆积校正电路,所述信号堆积校正电路连接在所述甄别器和所述计数器之间,以用于在由所述成形电路输出的信号堆积的情况下,基于所述信号堆积校正电路的预定窗口时间对所述甄别器的信号的脉冲宽度进行分割以进行堆积信号校正,以使所述计数器对经校正的信号进行计数。

    X射线探测方法、和X射线探测器

    公开(公告)号:CN107345923A

    公开(公告)日:2017-11-14

    申请号:CN201610294662.3

    申请日:2016-05-05

    Abstract: 提供了一种新颖的X射线探测方法、和X射线探测器。根据本发明实施例的X射线探测方法,包括:将X射线源所发射的光子的能量范围划分为N个能窗,N为大于0的整数;基于成像目标的感兴趣物质和背景物质的线衰减系数,获取N个能窗中的每个能窗的权重因子;基于N个能窗中的每个能窗的权重因子,获取X射线探测器的M个输出通道的权重因子矩阵,M为大于0的整数;以及基于能量范围落入N个能窗中的每个能窗的光子的数目、以及权重因子矩阵,获取M个输出通道的输出结果。

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