公开(公告)号：CN101382574B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200810051148.2

申请日：2008-09-09

Applicant: 吉林大学

Inventor： 田文晶 ,  徐蔚青 ,  徐斌 ,  唐彬 ,  周印华

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明涉及一种利用全内反射方法产生的消失波作激发源测量有机半导体材料载流子迁移率的方法。首先在半透明电极上制备厚度为d的有机半导体材料薄膜，再蒸镀一层金属电极；然后将脉冲光以θc≤θ1≤90°的角度入射到半透明电极的表面，全反射产生的消失波在有机半导体材料薄膜中产生空穴-电子对；空穴或电子在外加电压U形成电场的作用下向阴极或阳极作漂移运动，最终被阴极或阳极所收集，通过信号采集部分采集瞬态光电流，由此确定空穴或电子渡越有机半导体材料薄膜的时间t，即可得到有机半导体材料薄膜的载流子迁移率μ＝d2/Ut。本发明可以通过调节激发光的强度来控制光生载流子产生的数量，进而提高载流子迁移率测量的准确性。

公开(公告)号：CN101382574A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200810051148.2

申请日：2008-09-09

Applicant: 吉林大学

Inventor： 田文晶 ,  徐蔚青 ,  徐斌 ,  唐彬 ,  周印华

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明涉及一种利用全内反射方法产生的消失波作激发源测量有机半导体材料载流子迁移率的方法。首先在半透明电极上制备厚度为d的有机半导体材料薄膜，再蒸镀一层金属电极；然后将脉冲光以θc≤θ1≤90°的角度入射到半透明电极的表面，全反射产生的消失波在有机半导体材料薄膜中产生空穴－电子对；空穴或电子在外加电压U形成电场的作用下向阴极或阳极作漂移运动，最终被阴极或阳极所收集，通过信号采集部分采集瞬态光电流，由此确定空穴或电子渡越有机半导体材料薄膜的时间t，即可得到有机半导体材料薄膜的载流子迁移率μ＝d2/Ut。本发明可以通过调节激发光的强度来控制光生载流子产生的数量，进而提高载流子迁移率测量的准确性。