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公开(公告)号：CN111548169A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010515446.3
申请日：2020-06-09
Applicant: 吉林大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明的高强度透明氮化硅陶瓷的高温高压制备方法属于透明氮化硅陶瓷材料制备的技术领域，以微米α-Si3N4和纳米β-Si3N4混合物为原料，经过原料混合、压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得β-Si3N4透明陶瓷材料。本发明工艺流程简单，不需要添加烧结助剂；简化了透明陶瓷材料的制备流程，缩短了材料制备周期和烧结时间；通过温度和压力来调节氮化硅(β-Si3N4)的形貌和性能，制备出了高强度的透明氮化硅(β-Si3N4)陶瓷。
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公开(公告)号：CN118329775A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410567150.4
申请日：2024-05-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供一种微米级微量含能材料激光刺激响应过程的观察系统及方法，包括：三维载物台、显微物镜、第一分束器、第二分束器、透镜、激光器、照明光源、相机和控制器；本发明提供的微米级微量含能材料激光刺激响应过程观察系统和观察方法能对微米量级含能材料进行引爆观察，并记录整个观察过程以及爆炸时间，是一种较为直观的对含能材料的含能特性的判断方法，对高压下合成的含能材料进行进一步表征，有效解决这类微米量级含能材料能量的表征问题。
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公开(公告)号：CN116359572A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310371065.6
申请日：2023-04-10
Applicant: 吉林大学
IPC: G01R1/28 , G01R33/12 , G01R33/07 , G01N27/72 , G05B19/042
Abstract: 本发明的一种多铁芯小型磁场发生器及控制系统属于磁场产生设备技术领域，所述多铁芯小型磁场发生器，结构有样品测试腔(26)、外壳(27)、硅钢悬臂(21)、汇聚悬臂(25)、缓冲内衬(20)、线圈绕组(22)和磁路臂(23)；所述多铁芯小型磁场发生器控制系统，结构包括磁场强度传感器(1)、磁场发生器(2)、并行模数转换器(3)、可调多路脉冲发生器(4)、并行数据处理模块(5)、单片机(6)、显示模块(7)、调整数据采集设备(8)和线性稳压电源(9)。本发明利用多组分散线圈产生磁场，降低了传统电磁线圈体积对空间的要求，在满足设备小型化的同时还能对磁场强度大小进行精确控制。
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公开(公告)号：CN111620696A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010515464.1
申请日：2020-06-09
Applicant: 吉林大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明的一种高硬度铁磁性α-MnB的制备方法属于高力学强度磁性锰硼陶瓷材料制备的技术领域，以锰粉、硼粉两种单质为原料，经原料混合、压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得α-MnB块状材料。本发明工艺流程简单，不需要通过材料复合、掺杂、老化等复杂的合成工艺；简化了高硬度磁性材料的制备流程，缩短了材料制备周期和烧结时间；通过调节单质原料的配比、温度和压力来提高硼化锰(α-MnB)的纯度，设计和制备出了高力学强度的磁性硼化锰(α-MnB)体材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116332179B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310328188.1
申请日：2023-03-30
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B32/914 , G01R33/09
Abstract: 本发明的一种斜方晶系Mn7C3化合物的高温高压制备方法及应用属于磁性材料制备和应用领域。将锰粉和碳粉按摩尔比7:3混合用氮化硼包裹，再装入石墨管中在高温高压装置上加压至5.0GPa，升温至2300K保温保压30min；然后以200K/s速率退火，以5MPa/s速率卸压，得到具有各向同性磁阻效应的斜方晶系Mn7C3化合物。以所述斜方晶系Mn7C3化合物作为磁传感材料，可构成磁性传感器。本发明合成的各向同性磁阻效应的斜方晶系Mn7C3化合物具有优良的磁阻效应，基于此材料的具有高灵敏度的各向同性磁传感器具有结构简单可靠、灵敏度高、磁阻不受磁场方向影响的特点，可广泛应用于空间磁场测量领域。
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公开(公告)号：CN116332179A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310328188.1
申请日：2023-03-30
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B32/914 , G01R33/09
Abstract: 本发明的一种斜方晶系Mn7C3化合物的高温高压制备方法及应用属于磁性材料制备和应用领域。将锰粉和碳粉按摩尔比7:3混合用氮化硼包裹，再装入石墨管中在高温高压装置上加压至5.0GPa，升温至2300K保温保压30min；然后以200K/s速率退火，以5MPa/s速率卸压，得到具有各向同性磁阻效应的斜方晶系Mn7C3化合物。以所述斜方晶系Mn7C3化合物作为磁传感材料，可构成磁性传感器。本发明合成的各向同性磁阻效应的斜方晶系Mn7C3化合物具有优良的磁阻效应，基于此材料的具有高灵敏度的各向同性磁传感器具有结构简单可靠、灵敏度高、磁阻不受磁场方向影响的特点，可广泛应用于空间磁场测量领域。
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公开(公告)号：CN111548169B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202010515446.3
申请日：2020-06-09
Applicant: 吉林大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明的高强度透明氮化硅陶瓷的高温高压制备方法属于透明氮化硅陶瓷材料制备的技术领域，以微米α‑Si3N4和纳米β‑Si3N4混合物为原料，经过原料混合、压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得β‑Si3N4透明陶瓷材料。本发明工艺流程简单，不需要添加烧结助剂；简化了透明陶瓷材料的制备流程，缩短了材料制备周期和烧结时间；通过温度和压力来调节氮化硅(β‑Si3N4)的形貌和性能，制备出了高强度的透明氮化硅(β‑Si3N4)陶瓷。
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公开(公告)号：CN119683080A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411739987.9
申请日：2024-11-29
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于冷凝封装技术领域，提供了一种低沸点物质在金刚石对顶砧中低温封装装置，括制冷剂储存容器，制冷剂储存容器的内顶部可拆卸安装有一压机放置筒，压机放置筒的内部放置有一压机机体，压机放置筒的顶端且位于压机机体的正上方密封连接有一密封盖体，密封盖体与压机机体配合使用；本发明通过在封装过程中控制冷剂储存容器测温点始终在制冷剂沸点温度保证制冷效率,如果样品腔对应高度的位置测温点刚好达到低沸点物质的的液化温度，说明目标样品的液面刚好达到金刚石对顶砧压机的样品腔所处高度，可以进行封装操作,此外，压机放置筒第二测温点监控样品液面是否过高，防止样品腔中提前装载的实验所需标压物质和其它固体样品被冲走。
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公开(公告)号：CN118320717A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410446923.3
申请日：2024-04-15
Applicant: 吉林大学
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明提供一种在金刚石对顶砧中合成六氟化铼晶体的方法，选择金属铼作为反应的初始原料，将二氟化氙以及液氩封装到金刚石对顶砧的样品腔中；在60℃下加热金刚石对顶砧直到二氟化氙晶体消失，通过拉曼光谱观测到六氟化铼和七氟化铼的特征振动峰。继续在60℃下加热，将七氟化铼完全转化为六氟化铼，整个过程通过拉曼光谱监控。待完全转化后，冷却到室温并调控压力到0.3Gpa与1.2Gpa之间，得到结晶效果较好的六氟化铼晶体。本发明操作简单，安全无污染，可重复性高。通过调控还原反应条件，避免杂质七氟化铼的存在，得到高纯度的六氟化铼。
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