公开(公告)号：CN106987863A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201710152042.0

申请日：2017-03-15

Applicant: 吉林大学

Inventor： 连建设 ,  李松 ,  韩双 ,  李恒 ,  石文辉 ,  周文婷 ,  陈岩 ,  刘方刚 ,  郝晋 ,  孙朔

IPC: C25C1/24 ,  C25C7/02 ,  C25D3/56 ,  C25D17/10

CPC classification number: Y02P10/234 ,  C25C1/24 ,  C25C7/02 ,  C25D3/562 ,  C25D17/10

Abstract: 本发明涉及单脉冲电沉积光亮双相双峰纳米晶镍钴合金的制备工艺。具体步骤是：电镀前先将电镀液经活性炭吸附除杂和电解除杂，然后在霍尔槽装置中进行预镀试验确定光亮双相双峰镍钴合金镀层的条件。在PH值稳定在2～5之间，浓度为硫酸镍50～70g/L、氯化镍40～60g/L、硫酸钴40～50g/L为主盐的镀液中进行电镀，以可溶性镍板经表面处理后作为阳极，不锈钢经表面处理后作为阴极，采用单脉冲电沉积光亮双相双峰纳米晶镍钴合金的镀层，其中电沉积时间为2h～4h，脉冲电流密度为2.5～3A/dm2，占空比为20％～40％，周期为1～2ms，搅拌速度为100～500r/min。该方法制得的镍钴合金镀层表面光亮，结构致密，结晶细致，平整性好，无裂纹，且具有很好的耐腐蚀性能和较高的强度和塑性。

公开(公告)号：CN106756852A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710013738.5

申请日：2017-01-09

Applicant: 吉林大学

Inventor： 连建设 ,  石文辉 ,  韩双 ,  李恒 ,  刘方刚 ,  李松 ,  郝晋 ,  孙朔

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/165

Abstract: 一种不同相结构的纳米晶金属钴薄膜的制备方法，尤其是采用可程式直流磁控溅射法并通过控制占空比和溅射功率来制备纯FCC和HCP相及其混合相的纳米晶钴薄膜。溅射电源采用可程式直流电源，溅射靶材为纯度达到99.9wt％以上的钴靶，衬底为单晶Si片(100)，在沉积之前，将Si片清洗，真空室的本底真空抽至3‑5x10‑4Pa以上，溅射室内通入高纯氩气，工作压强设置为1.5‑2Pa，衬底的温度保持为室温；占空比为50％，溅射功率150‑200W，制备纯HCP相薄膜；占空比为67％，溅射功率为150‑200W，制备FCC和HCP混合相钴薄膜；占空比为100％，溅射功率为150‑200W，制备纯FCC相薄膜。本发明操作简单，重复性好，实现效果良好。