基于胶体硒化铅量子点的集成电路芯片微区表面温度分布的检测方法

    公开(公告)号:CN103674318B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201410005655.8

    申请日:2014-01-06

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于胶体硒化铅量子点的集成电路芯片微区表面温度分布的检测方法,旨在克服现有技术存在的无法完成对集成电路微米级区域进行温度检测、检测设备体积和重量大、结构复杂等问题。步骤为:制备胶体硒化铅量子点;在集成电路板表面沉积胶体硒化铅量子点;选择激光器作为激发光源并形成平行光束;激光束照射芯片表面的胶体硒化铅量子点使其产生光致发光;图像采集系统收集红外光;红外光谱仪接收红外光信号,并显示其相应的发光光谱;计算集成电路芯片微区表面一点的温度。

    基于胶体硒化铅量子点的集成电路芯片微区表面温度分布的检测方法

    公开(公告)号:CN103674318A

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201410005655.8

    申请日:2014-01-06

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于胶体硒化铅量子点的集成电路芯片微区表面温度分布的检测方法,旨在克服现有技术存在的无法完成对集成电路微米级区域进行温度检测、检测设备体积和重量大、结构复杂等问题。步骤为:制备胶体硒化铅量子点;在集成电路板表面沉积胶体硒化铅量子点;选择激光器作为激发光源并形成平行光束;激光束照射芯片表面的胶体硒化铅量子点使其产生光致发光;图像采集系统收集红外光;红外光谱仪接收红外光信号,并显示其相应的发光光谱;计算集成电路芯片微区表面一点的温度。

    基于碳量子点和ZnCuInS量子点的三原色匹配白光LED及其制备方法

    公开(公告)号:CN104037310B

    公开(公告)日:2017-01-18

    申请号:CN201410315193.X

    申请日:2014-07-03

    Applicant: 吉林大学

    CPC classification number: H01L2224/48091 H01L2224/8592 H01L2924/00014

    Abstract: 本发明公开了一种基于碳量子点和ZnCuInS量子点的三原色匹配白光LED及其制备方法。选取紫外光芯片作为激发光源,制备胶体碳量子点、一种红色发光的胶体ZnCuInS量子点、一种绿色发光的胶体ZnCuInS量子点混合荧光粉作为荧光层,利用蓝、红、绿三原色匹配法调制成白光,通过调整三种量子点在荧光粉中所占比例,得到所需色温和显色指数的白光LED。其结构为:散热衬底(1),取光透镜(2),电极(3),金线(4),硅胶酸甲酯/氯仿溶液混合而形成的荧光粉凝胶层(6),峰值波长为340-390nm的紫外光芯片(7)。本发明所采用的荧光材料毒性低、成本低廉,所设计的LED结构简单、制作容易,发出的白光光源显色指数高、稳定性好。(5),由碳量子点、ZnCuInS量子点和聚甲基丙烯

    一种环保无重金属量子点太阳能电池及其制作方法

    公开(公告)号:CN103618047B

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201310665055.X

    申请日:2013-12-09

    Applicant: 吉林大学

    CPC classification number: Y02E10/549 Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及一种环保无重金属量子点太阳能电池及其制作方法,属于新能源先进制造技术领域。该电池主要由基底、正极、空穴收集层、光敏层、收集层和负极组成,所述正极为ITO电极,将其沉积在基板上,ITO电极和基板能使太阳光透过,所述空穴收集层为具有极强导电性能的PEDOT:PSS层,将其旋涂在ITO电极上,所述光敏层为位于PEDOT:PSS层之上的CuInS2/ZnS QDs层,所述收集层为在CuInS2/ZnS QDs层上旋涂的ZnO纳米薄膜层,所述负极为在ZnO纳米薄膜层上蒸镀的Al电极。这种结构的太阳能电池保持了量子点太阳能电池的高效、柔性和工艺简单的特点,同时不含重金属,符合环保要求。

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