公开(公告)号：CN116571899A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310387691.4

申请日：2023-04-12

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 王旭迪 ,  王宗林 ,  毕海林 ,  曹青 ,  吴俊 ,  张俊 ,  林文豫 ,  林涵文

IPC: B23K26/382 ,  B23K26/60 ,  G01M3/20 ,  B32B27/28 ,  B32B15/08 ,  B32B3/26

Abstract: 本发明公开了一种采用飞秒激光在钨箔上打孔并与PDMS结合制备高压漏孔的方法，属于标准漏孔领域，首先利用飞秒激光对钨箔进行打孔，利用丙酮、醋酸和异丙醇去除钨箔表面的氧化物及其他污染物，获得表面清洁的钨箔；然后，将PDMS聚合物层贴到钨箔上即可得到PDMS和钨箔结合制作而成的高压漏孔。本发明制得的新型漏孔流导精确可控，本底漏率低，PDMS方便替换，并具有一定的承压能力，能在更大的压强范围内提供更精确的可控漏率。

公开(公告)号：CN114001868A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202111265666.6

申请日：2021-10-28

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 王旭迪 ,  林涵文 ,  张俊 ,  曹青 ,  孙立臣 ,  任国华 ,  孟冬辉

IPC: G01M3/02 ,  C01B32/186

Abstract: 本发明提出一种基于无转移技术制备的石墨烯膜制作标准漏孔的方法，其特征是，包括以下工艺步骤：(1)利用化学气相沉积法在铜箔上制备石墨烯；(2)采用氧化等离子体蚀刻法去除铜箔其中一面的石墨烯，并在覆盖有石墨烯的另一面旋涂上一层PMMA；(3)在铜箔去除了石墨烯的那一面旋涂上一层701光刻胶，曝光显影后形成4×4个直径为10μm的圆孔结构；(4)利用过硫酸铵溶液(APS)对铜箔进行刻蚀；(5)刻蚀完毕后利用丙酮溶液除去残余的光刻胶和PMMA；(6)利用全金属真空连接径向密封接头对覆盖有无转移石墨烯的铜箔进行夹紧与封装，即可获得所需的标准漏孔。本发明制得的标准漏孔流导精确可控，本底漏率低，使用寿命长，能在更大的压强范围内提供更精确的可控泄漏率。