公开(公告)号：CN220400593U

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202321713491.5

申请日：2023-07-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄筱晴 ,  许胜福 ,  徐浩桦 ,  陈品辰 ,  黄麟淯 ,  钟于彰

IPC: H01L27/02

Abstract: 本申请涉及一种集成电路器件，电阻平衡条带极大地提高了栅极接地N型通道金属氧化物半导体(ggNMOS)器件承受及防护人体放电模型(HBM)静电放电(ESD)事件的能力。电阻平衡条带是在基底中在有源区与环绕有源区的块状环之间形成的高电阻区，有源区包括ggNMOS器件的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。Vss轨经由块状环耦合至位于MOSFET之下的基底。位于MOSFET之下的基底为寄生晶体管提供基极区，寄生晶体管导通以使ggNMOS器件进行操作。所述条带抑制基极区与块状环之间的低电阻路径并防止ggNMOS器件的大部分在ggNMOS器件的其余部分保持导通时被断开。所述条带可被划分成插入关键位置处的段。

公开(公告)号：CN220121842U

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202321112797.5

申请日：2023-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄筱晴 ,  徐浩桦 ,  许胜福

IPC: H01L27/02

Abstract: 本实用新型提供一种集成电路(IC)，所述集成电路包括设置于半导体衬底上的第一半导体装置及第二半导体装置。第一半导体装置包括第一闸极结构、第一源极区及第一汲极区。第一源极区及第一汲极区设置于第一阱区中。第二半导体装置包括第二闸极结构、第二源极区及第二汲极区。第二源极区及第二汲极区设置于第二阱区中。第一阱区及第二阱区包括第一掺杂类型。第一阱区自第二阱区在侧向上偏移第一距离。第三阱区设置于半导体衬底中且在侧向上位于第一阱区与第二阱区之间。第三阱区包括与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型。