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公开(公告)号：CN110943155B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201910789075.5
申请日：2019-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中提供一种压电器件。所述压电器件包括半导体衬底。在半导体衬底之上设置有第一电极。在第一电极上设置有压电结构。在压电结构上设置有第二电极。在半导体衬底之上设置有加热元件。加热元件被配置成将压电结构加热到恢复温度达一时间段，其中将压电结构加热到恢复温度达所述时间段会改善压电器件的劣化的电特性。
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公开(公告)号：CN110957413A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910912617.3
申请日：2019-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L41/047 , H01L41/08 , H01L41/293
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种压电金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，MIM)装置，其包含顶部电极与底部电极之间的压电结构。压电层包含上覆底部区域的顶部区域。底部区域的外侧壁延伸穿过顶部区域的外侧壁。顶部区域的外侧壁与顶部电极的外侧壁对齐。压电层配置成有助于限制顶部电极与压电层的分层。
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公开(公告)号：CN103852702B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201310034628.9
申请日：2013-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01R31/26
CPC classification number: H01L22/14 , H01L21/30625 , H01L22/34 , H01L29/0642 , H01L29/0649 , H01L29/161 , H01L29/66795
Abstract: 一种方法，包括使用四点探针头探测至少一个半导体鳍，四点探针头的四个探针引脚与所述至少一个半导体鳍接触。计算至少一个半导体鳍的电阻。通过电阻计算半导体鳍的载流子浓度。本发明还提供了确定半导体鳍中的载流子浓度的方法。
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公开(公告)号：CN110957413B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN201910912617.3
申请日：2019-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10N30/87 , H10N30/00 , H10N30/063
Abstract: 本公开的各种实施例涉及用于压电装置的击穿电压增强的结构与方法。一种压电金属‑绝缘体‑金属(metal‑insulator‑metal，MIM)装置包含顶部电极与底部电极之间的压电结构。压电层包含上覆底部区域的顶部区域。底部区域的外侧壁延伸穿过顶部区域的外侧壁。顶部区域的外侧壁与顶部电极的外侧壁对齐。压电层配置成有助于限制顶部电极与压电层的分层。
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公开(公告)号：CN103852702A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310034628.9
申请日：2013-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01R31/26
CPC classification number: H01L22/14 , H01L21/30625 , H01L22/34 , H01L29/0642 , H01L29/0649 , H01L29/161 , H01L29/66795
Abstract: 一种方法，包括使用四点探针头探测至少一个半导体鳍，四点探针头的四个探针引脚与所述至少一个半导体鳍接触。计算至少一个半导体鳍的电阻。通过电阻计算半导体鳍的载流子浓度。本发明还提供了确定半导体鳍中的载流子浓度的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112350612B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN201911081771.7
申请日：2019-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露涉及一种用于恢复或防止压电装置的劣化装置性能的方法及其系统。用于恢复压电装置的劣化装置性能的方法包括在运行模式中藉由对压电装置施加大于或等于第一振幅的一或多个电压脉冲以在第一时间段内操作压电装置，和在第一时间段的期间确定压电装置的性能参数具有已与参考值偏离大于预定阈值的第一值。在第二时间段的期间，方法更包括向压电装置施加包括正电压偏压和负电压偏压的双极性半波。在第三时间段的期间，方法更包括在运行模式中操作压电装置，其中性能参数具有第二值。第二值与参考值之间的绝对差小于第一值与参考值之间的绝对差。
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公开(公告)号：CN110649157B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201910305463.1
申请日：2019-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 根据本发明的实施例，提供了一种电子器件，其包括电容器和覆盖电容器的钝化层。电容器包括第一电极、设置在第一电极上方的介电层和设置在介电层上方的第二电极。第一电极的面积大于介电层的面积，并且介电层的面积大于第二电极的面积，使得电容器的侧具有多阶梯结构。根据本发明的实施例，还提供了半导体器件以及制造电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN104733529B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201410387026.6
申请日：2014-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/0228 , H01L21/32105 , H01L21/76224 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/0649 , H01L29/1054 , H01L29/7853
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的鳍结构。本发明涉及一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。示例性FinFET包括具有主要表面的衬底和从主要表面突出的鳍结构。鳍结构包括：上部，上部包括具有第一晶格常数的第一半导体材料，其中，上部包括具有第一宽度的第一基本垂直部分和位于第一基本垂直部分上方的具有小于第一宽度的第二宽度的第二基本垂直部分；以及下部，下部包括具有小于第一晶格常数的第二晶格常数的第二半导体材料，其中，下部的顶面具有小于第一宽度的第三宽度；FinFET还包括覆盖第二基本垂直部分的栅极结构。
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公开(公告)号：CN103107196B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210041249.8
申请日：2012-02-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66818 , H01L21/2236 , H01L21/823431 , H01L21/823462 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823857 , H01L21/823878 , H01L21/845 , H01L27/0924 , H01L27/1211
Abstract: 本发明涉及鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET的一个示例性结构包括：具有顶面的衬底；在衬底顶面上方延伸的第一鳍片和第二鳍片，其中，每个鳍片均具有顶面和侧壁；位于第一鳍片和第二鳍片之间的绝缘层，该绝缘层从衬底顶面沿着鳍片的一部分向上延伸；覆盖第一鳍片的顶面和侧壁且具有第一厚度的第一栅极电介质和覆盖第二鳍片的顶面和侧壁且具有小于第一厚度的第二厚度的第二栅极电介质；以及跨过第一栅极电介质和第二栅极电介质两者的导电栅极带。本发明提供了鳍式场效应晶体管及其制造方法。
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公开(公告)号：CN104733529A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410387026.6
申请日：2014-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/0228 , H01L21/32105 , H01L21/76224 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/0649 , H01L29/1054 , H01L29/7853
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的鳍结构。本发明涉及一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。示例性FinFET包括具有主要表面的衬底和从主要表面突出的鳍结构。鳍结构包括：上部，上部包括具有第一晶格常数的第一半导体材料，其中，上部包括具有第一宽度的第一基本垂直部分和位于第一基本垂直部分上方的具有小于第一宽度的第二宽度的第二基本垂直部分；以及下部，下部包括具有小于第一晶格常数的第二晶格常数的第二半导体材料，其中，下部的顶面具有小于第一宽度的第三宽度；FinFET还包括覆盖第二基本垂直部分的栅极结构。
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