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公开(公告)号:CN118011706A
公开(公告)日:2024-05-10
申请号:CN202311755223.4
申请日:2023-12-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种光学数模转换器(DAC)及其形成方法。光学DAC包括配置为接收第一光学信号的第一波导路径和配置为接受第二光学信号的第二波导路径。第一相移器区段与第一和第二波导路径对接。第一相移器区段配置为响应于第一数字输入而选择性地在第一光学信号和第二光学信号之间产生第一相移。第二相移器区段与第一和第二波导路径对接。第二相移器区段配置为响应于第二数字输入而选择性地在第一光学信号和第二光学信号之间产生第二相移。第一数字输入和第二数字输入对应于数字信号的不同位。
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公开(公告)号:CN118039576A
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202311839595.5
申请日:2023-12-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , G06F1/12 , H01L23/538 , H01L23/485 , H01L25/16 , H04L7/033
Abstract: 一种半导体封装件,包括多个半导体芯片。半导体封装件件包括重分布结构。重分布结构可以被配置为将多个半导体芯片彼此电耦合,并且还被配置为传输单个全局时钟信号。跨多个半导体芯片传输的数据可以在单个全局时钟信号所属的时钟域中同步。本申请的实施例还提供了用于操作半导体封装件的方法。
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公开(公告)号:CN118712172A
公开(公告)日:2024-09-27
申请号:CN202410574190.1
申请日:2024-05-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/60
Abstract: 一种示例性封装包括光子管芯、电子管芯和封装构件。电子管芯具有设置在前侧互连结构和背侧互连结构之间的电子器件层。背侧互连结构被配置为向电子器件层传输电力。光子管芯、电子管芯和封装构件从上到下进行堆叠。电子管芯的背侧互连结构连接到封装构件,且光子管芯连接到电子管芯。在一些实施例中,光子管芯和电子管芯各自不含半导体穿孔,例如,硅穿孔。在一些实施例中,光子管芯的前侧互连结构连接到电子管芯的前侧互连结构。在一些实施例中,光子管芯的背侧互连结构连接到电子管芯的前侧互连结构。
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公开(公告)号:CN222259753U
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202420788492.4
申请日:2024-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型实施例的各种实施例提供光学装置偏振旋转器和模态转换器。本实用新型实施例的光学装置包括偏振旋转器和模态转换器。偏振旋转器包括具有第一端和第二端的直波导段、从第二端延续的第一加宽波导段、从第一加宽波导段延续的第一渐缩波导段、设置在第一加宽波导段上方的第二加宽波导段以及从第二加宽波导段延续的第二渐缩波导段。模态转换器包括从第二渐缩波导段延续的第三渐缩波导段以及设置在第三渐缩波导段上方的第三加宽波导段。偏振旋转器的输出端耦合到模态转换器的输入端。
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公开(公告)号:CN222826399U
公开(公告)日:2025-05-02
申请号:CN202421152462.0
申请日:2024-05-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/64 , H01P3/16
Abstract: 本实用新型实施例涉及半导体结构及半导体封装。本实用新型实施例涉及一种半导体结构,其包含:第一电波导,其由第一电介质材料形成且经配置以传输电讯号;第二电波导,其由所述第一电介质材料形成且经放置成相邻于所述第一电波导的第一侧;及第三电波导,其由所述第一电介质材料形成且经放置成相邻于与所述第一侧对置的所述第一电波导的第二侧。所述第二电波导及所述第三电波导经配置以与所述第一电波导一起形成复合波导用于传输所述电讯号。
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公开(公告)号:CN222896284U
公开(公告)日:2025-05-23
申请号:CN202421605030.0
申请日:2024-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型的实施例提供一种半导体装置包括介电层、嵌置于介电层中的环形波导以及嵌置于介电层中且以垂直方式光学耦合至环形波导的输入/输出波导。介电层的材料、环形波导的材料与输入/输出波导的材料是不同的。通过在输入/输出波导与环形波导之间设置厚度合适的介电层来控制两个波导之间的间距,以提高光学装置的耦合效率。
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公开(公告)号:CN222653131U
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202421198905.X
申请日:2024-05-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型实施例涉及半导体结构。一种半导体结构包含多个半导体裸片、放置于所述多个半导体裸片中的第一接缝结构,及放置于所述多个半导体裸片的至少两个邻近半导体裸片中的第二接缝结构。所述半导体裸片经布置以形成列或行。所述第一接缝结构与所述半导体裸片之间的全部接口交叉。所述第二接缝结构与所述至少两个邻近半导体裸片之间的接口交叉。
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