公开(公告)号：CN1225790C

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN02103267.X

申请日：2002-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马思平 ,  王是琦 ,  蔡肇杰

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种接合垫的构造及其制造方法，适用于具有介电层的半导体衬底表面，上述接合垫的构造包括：一顶部金属垫，形成于上述介电层上方；以及多个金属支撑物，镶嵌于该介电层，并且形成于该顶部金属垫的底面。根据本发明的接合垫构造及其制造方法，不但可确保接合垫与介电层之间的黏着力，并且能够提供足够小的寄生电容，而适用于高速半导体元件以及射频元件。

公开(公告)号：CN1435881A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN02103267.X

申请日：2002-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马思平 ,  王是琦 ,  蔡肇杰

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种接合垫的构造及其制造方法，适用于具有介电层的半导体基底表面，上述接合垫的构造包括：一顶部金属垫，形成于上述介电层上方；以及复数个金属支撑物，镶嵌于该介电层，并且形成于该顶部金属垫的底面。根据本发明的接合垫构造及其制造方法，不但可确保接合垫与介电层之间的黏着力，并且能够提供足够小的寄生电容，而适用于高速半导体元件以及射频元件。