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公开(公告)号：CN112687798A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010053429.2
申请日：2020-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 场效晶体管包括半导体衬底、第一焊盘层、多个碳纳米管及栅极结构。第一焊盘层设置在半导体衬底之上且包含二维材料。多个碳纳米管设置在第一绝缘焊盘层之上。栅极结构设置在半导体衬底之上且与多个碳纳米管垂直堆叠。碳纳米管从栅极结构的一侧延伸到相对的一侧。
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