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公开(公告)号：CN115524930A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210161469.8
申请日：2022-02-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种微影系统的清洁方法与微影系统的清洁系统，在微影系统的清洁方法中，在闲置模式期间，经由第一开口将空气流引导至极紫外微影系统的晶圆台的腔室中。利用所引导的空气流从晶圆台的腔室中的一或多个晶圆卡盘的表面抽取一或多个微粒。经由第二开口将空气流与所抽取的一或多个微粒抽出晶圆台的腔室。
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公开(公告)号：CN110653221B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201910560150.0
申请日：2019-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种清洗极紫外(EUV)辐射源设备的方法，其中EUV辐射源设备包括用于在腔室内生成金属靶液滴的靶液滴产生器，以及干冰喷射组件。干冰喷射组件具有设置在腔室内部的喷射喷嘴及干冰支承构件。清洗方法包括以下步骤：形成包括来自干冰喷射组件的干冰支承构件的干冰颗粒及加压气流的加压干冰颗粒，接着，将加压干冰颗粒经由喷射喷嘴朝向靶液滴产生器的喷嘴处的残余材料喷出。从靶液滴产生器去除残余材料，以及收集残余材料及来自加压干冰颗粒的升华气态二氧化碳。
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公开(公告)号：CN113594073B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202110851441.2
申请日：2021-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 一种微影系统及形成半导体装置的方法，方法包括在晶圆台上的晶圆载物台上方传送晶圆。晶圆台包括台主体、晶圆载物台、第一滑动部件、第二滑动部件、第一缆线、第一托架及第二托架，以及挡止器。第二滑动部件为沿着第一方向可移动的，其中第一滑动部件耦接至第二滑动部件的轨道，第一滑动部件为沿着垂直于第一方向的第二方向可移动的。第一托架及第二托架通过板弹簧连接。方法包括朝向台主体的边缘移动晶圆载物台，使得晶圆载物台向外推动第一缆线，使得板弹簧朝向挡止器的面向板弹簧的表面上的第一保护膜移动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113594073A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110851441.2
申请日：2021-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 一种微影系统及形成半导体装置的方法，方法包括在晶圆台上的晶圆载物台上方传送晶圆。晶圆台包括台主体、晶圆载物台、第一滑动部件、第二滑动部件、第一缆线、第一托架及第二托架，以及挡止器。第二滑动部件为沿着第一方向可移动的，其中第一滑动部件耦接至第二滑动部件的轨道，第一滑动部件为沿着垂直于第一方向的第二方向可移动的。第一托架及第二托架通过板弹簧连接。方法包括朝向台主体的边缘移动晶圆载物台，使得晶圆载物台向外推动第一缆线，使得板弹簧朝向挡止器的面向板弹簧的表面上的第一保护膜移动。
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公开(公告)号：CN113539873B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202110733420.0
申请日：2021-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 方法包括将第一电压施加至测试晶圆中的半导体检测器的检测器单元的第一晶体管的源极，以及将第二电压施加至检测器单元的第一晶体管的栅极和第二晶体管的漏极。第一晶体管串联耦接至第二晶体管，并且第一电压高于第二电压。对检测器单元执行预曝光读取操作。在施加第一电压和第二电压之后，将曝光装置的光投射到第二晶体管的栅极。对检测器单元执行曝光后读取操作。将预曝光读取操作与曝光后读取操作的数据进行比较。基于预曝光读取操作和曝光后读取操作的比较的数据调整光的强度。本发明的实施例还涉及半导体结构及其制造方法。
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公开(公告)号：CN113539873A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110733420.0
申请日：2021-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 方法包括将第一电压施加至测试晶圆中的半导体检测器的检测器单元的第一晶体管的源极，以及将第二电压施加至检测器单元的第一晶体管的栅极和第二晶体管的漏极。第一晶体管串联耦接至第二晶体管，并且第一电压高于第二电压。对检测器单元执行预曝光读取操作。在施加第一电压和第二电压之后，将曝光装置的光投射到第二晶体管的栅极。对检测器单元执行曝光后读取操作。将预曝光读取操作与曝光后读取操作的数据进行比较。基于预曝光读取操作和曝光后读取操作的比较的数据调整光的强度。本发明的实施例还涉及半导体结构及其制造方法。
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公开(公告)号：CN110653221A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910560150.0
申请日：2019-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种清洗极紫外(EUV)辐射源设备的方法，其中EUV辐射源设备包括用于在腔室内生成金属靶液滴的靶液滴产生器，以及干冰喷射组件。干冰喷射组件具有设置在腔室内部的喷射喷嘴及干冰支承构件。清洗方法包括以下步骤：形成包括来自干冰喷射组件的干冰支承构件的干冰颗粒及加压气流的加压干冰颗粒，接着，将加压干冰颗粒经由喷射喷嘴朝向靶液滴产生器的喷嘴处的残余材料喷出。从靶液滴产生器去除残余材料，以及收集残余材料及来自加压干冰颗粒的升华气态二氧化碳。
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