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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113380635A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110060982.3
申请日：2021-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/66 , H01L21/67 , H01L23/544
Abstract: 本发明的各种实施例涉及形成半导体结构的方法。该方法包括在半导体晶圆上形成多个上部对准标记。多个下部对准标记在操作晶圆上形成并且对应于上部对准标记。半导体晶圆接合至操作晶圆，使得上部对准标记的中心与相应的下部对准标记的中心横向偏移。通过检测多个上部对准标记和下部对准标记，测量操作晶圆与半导体晶圆之间的重叠(OVL)偏移。通过光刻工具执行光刻工艺以在半导体晶圆的上方部分地形成集成电路(IC)结构。在光刻工艺期间，光刻工具根据OVL偏移执行补偿对准。根据本申请的其他实施例，还提供了一种处理系统。
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公开(公告)号：CN114765105A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110744390.3
申请日：2021-07-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 实施方式关于减少半导体基材中的电荷的方法。此方法包含沉积光阻于半导体基材上，以形成光阻层于半导体基材上。将光阻层曝光于辐射。使用显影剂溶液来显影光阻层。使用第一清洁液体来清洁半导体基材，以从光阻层洗去显影剂溶液。对半导体基材施加四甲基氢氧化铵溶液，以减少累积在半导体基材中的电荷。
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公开(公告)号：CN109742075A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201810239023.6
申请日：2018-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/115 , H01L27/112 , H01L21/31
Abstract: 提供具有第一区域和第二区域的晶圆。第一形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。在晶圆的第一区域上方和第二区域上方形成第一层。图案化第一层。图案化的第一层导致第二形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。第二形貌变化比第一形貌变化更平滑。第二层形成在第一区域和第二区域上方。第二层的至少部分形成在图案化的第一层上方。本发明实施例涉及一种制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN109742075B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201810239023.6
申请日：2018-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/115 , H01L27/112 , H01L21/31
Abstract: 提供具有第一区域和第二区域的晶圆。第一形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。在晶圆的第一区域上方和第二区域上方形成第一层。图案化第一层。图案化的第一层导致第二形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。第二形貌变化比第一形貌变化更平滑。第二层形成在第一区域和第二区域上方。第二层的至少部分形成在图案化的第一层上方。本发明实施例涉及一种制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN113380635B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110060982.3
申请日：2021-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/66 , H01L21/67 , H01L23/544
Abstract: 本发明的各种实施例涉及形成半导体结构的方法。该方法包括在半导体晶圆上形成多个上部对准标记。多个下部对准标记在操作晶圆上形成并且对应于上部对准标记。半导体晶圆接合至操作晶圆，使得上部对准标记的中心与相应的下部对准标记的中心横向偏移。通过检测多个上部对准标记和下部对准标记，测量操作晶圆与半导体晶圆之间的重叠(OVL)偏移。通过光刻工具执行光刻工艺以在半导体晶圆的上方部分地形成集成电路(IC)结构。在光刻工艺期间，光刻工具根据OVL偏移执行补偿对准。根据本申请的其他实施例，还提供了一种处理系统。
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