公开(公告)号：CN103390540A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201210382915.4

申请日：2012-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 巫俊昌 ,  陈俊璋 ,  吴权陵 ,  莫忘本 ,  谢弘璋

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0206 ,  G03F7/091 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明公开了一种方法，包括在半导体衬底上形成第一光刻胶部件和第二光刻胶部件。在半导体衬底上形成化学材料涂层。该化学材料涂层介入第一光刻胶部件和第二光刻胶部件之间。然后清洗该半导体衬底；该清洗从半导体衬底去除了化学材料涂层。化学材料可以与第一光刻胶部件和第二光刻胶部件之间的衬底上设置的残留物混合。从衬底去除化学材料涂层也可以去除残留物。本发明提供在制造半导体器件过程中去除残留物的方法。

公开(公告)号：CN109742075B

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN201810239023.6

申请日：2018-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 巫俊昌 ,  郑智远 ,  陈思帆 ,  杨舜升 ,  张玮玲 ,  郭景森 ,  许峰嘉 ,  陈俊璋

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/112 ,  H01L21/31

Abstract: 提供具有第一区域和第二区域的晶圆。第一形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。在晶圆的第一区域上方和第二区域上方形成第一层。图案化第一层。图案化的第一层导致第二形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。第二形貌变化比第一形貌变化更平滑。第二层形成在第一区域和第二区域上方。第二层的至少部分形成在图案化的第一层上方。本发明实施例涉及一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN107808823A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201710610900.1

申请日：2017-07-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑智远 ,  巫俊昌 ,  杨舜升 ,  郭景森 ,  许峰嘉 ,  陈俊璋

IPC: H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/765 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0619 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/32131 ,  H01L21/32132 ,  H01L21/32133

Abstract: 一种方法包括在具有彼此相邻的第一区和第二区的衬底上形成图案化的层。图案化的层包括位于第一区中的第一部件。第二区不含图案化的层。该方法还包括在图案化的层和衬底上形成材料层；形成设置在第二区中并且围绕第一部件的第一保护环；在材料层上方形成可流动的材料(FM)层；在FM层上方形成图案化的光刻胶层，其中，图案化的光刻胶层包括多个开口；并且将多个开口转印至材料层。本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法，具体地涉及平坦化膜的方法。

公开(公告)号：CN109742075A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201810239023.6

申请日：2018-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 巫俊昌 ,  郑智远 ,  陈思帆 ,  杨舜升 ,  张玮玲 ,  郭景森 ,  许峰嘉 ,  陈俊璋

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/112 ,  H01L21/31

Abstract: 提供具有第一区域和第二区域的晶圆。第一形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。在晶圆的第一区域上方和第二区域上方形成第一层。图案化第一层。图案化的第一层导致第二形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。第二形貌变化比第一形貌变化更平滑。第二层形成在第一区域和第二区域上方。第二层的至少部分形成在图案化的第一层上方。本发明实施例涉及一种制造半导体器件的方法。