公开(公告)号：CN106019849A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201510755863.4

申请日：2015-11-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建志 ,  陈佳伟 ,  张庆裕 ,  吴少均

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/3081 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/266 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/0331 ,  G03F7/20

Abstract: 根据一些实施例提供了一种光刻方法。光刻方法包括在衬底上形成聚合材料的下层；在下层上形成含硅中间层，其中含硅中间层具有重量百分比小于20％的硅浓度并且是可湿剥离的；在含硅中间层上形成图案化的光敏层；实施第一蚀刻工艺以将图案化的光敏层的图案转印至含硅中间层；实施第二蚀刻工艺以将图案转印至下层；以及对含硅中间层和下层实施湿剥离工艺。

公开(公告)号：CN106019849B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201510755863.4

申请日：2015-11-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建志 ,  陈佳伟 ,  张庆裕 ,  吴少均

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/3081 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/266 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32 ,  H01L21/67075

Abstract: 根据一些实施例提供了一种光刻方法。光刻方法包括在衬底上形成聚合材料的下层；在下层上形成含硅中间层，其中含硅中间层具有重量百分比小于20％的硅浓度并且是可湿剥离的；在含硅中间层上形成图案化的光敏层；实施第一蚀刻工艺以将图案化的光敏层的图案转印至含硅中间层；实施第二蚀刻工艺以将图案转印至下层；以及对含硅中间层和下层实施湿剥离工艺。