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公开(公告)号：CN110600368A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910501892.6
申请日：2019-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明所述的实施例涉及半导体工艺所用的方法，具体涉及形成装置的栅极结构，比如置换栅极工艺与其形成的装置。在一些例子中，沉积界面介电层与栅极介电层之后，可在控制下的含氮环境中进行快速退火工艺如激光退火或闪光灯退火工艺，以形成氮化部分于栅极介电层中。氮化部分可钝化栅极介电层表面的缺陷，并可作为阻障以避免蚀刻化学剂与来自后续栅极堆叠层的缺陷/掺质影响或扩散穿过栅极介电层。具体而言，毫秒等级的快速热退火工艺可限制氮原子在栅极介电层中，而不会扩散至下方的界面介电层及/或任何相邻的结构如鳍状物。
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公开(公告)号：CN109585556A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810920220.4
申请日：2018-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本文描述的实施例在高压退火工艺之后提供热处理工艺以将氢保持在场效应晶体管中的沟道区与栅介电层之间的界面处，同时从栅介电层的主体部分去除氢。热处理工艺可以减小由高压退火引起的阈值电压偏移量。高压退火和热处理工艺可以在形成栅介电层之后的任何时间实施，因此不会中断现有的工艺流程。本发明的实施例还涉及半导体器件性能改进。
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公开(公告)号：CN108122911B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201710928152.1
申请日：2017-10-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L27/146
Abstract: 一种半导体元件，包含一基材、一第一隔离结构、一第二隔离结构浅沟槽隔离以及多个半导体鳍片。此第一隔离结构是位于此基材上且具有一第一厚度。此第二隔离结构邻接此第一隔离结构且具有一第二厚度。此第一厚度是不同于此第二厚度。这些半导体鳍片分别邻接此第一隔离结构与此第二隔离结构。
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公开(公告)号：CN110660672A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910575177.7
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 提供了一种半导体结构的形成方法，以及在形成半导体装置时进行高压退火工艺的方法与其装置。高压退火工艺可为高压干式高压退火工艺，其中退火的加压环境包括一或多种工艺气体。高压退火工艺可为湿式退火工艺，其中退火的加压环境包括蒸汽。
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公开(公告)号：CN110660672B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN201910575177.7
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了一种半导体结构的形成方法，以及在形成半导体装置时进行高压退火工艺的方法与其装置。高压退火工艺可为高压干式高压退火工艺，其中退火的加压环境包括一或多种工艺气体。高压退火工艺可为湿式退火工艺，其中退火的加压环境包括蒸汽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113299742B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202110221093.0
申请日：2021-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/161 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 在一种制造半导体器件的方法中：形成具有从设置在半导体衬底上方的隔离绝缘层凸出的沟道区的鳍部结构；实施清洁操作；以及形成位于沟道区上方的外延半导体层。清洁操作和形成外延半导体层在同一腔室中实施，而不破坏真空。本申请的实施例提供了制造半导体器件的方法和半导体器件。
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公开(公告)号：CN112687625A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011089427.5
申请日：2020-10-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/336
Abstract: 公开一种改进的虚设栅极及其形成方法。在一实施例中，其方法包括：在沟槽中沉积第一材料，其中沟槽设置在第一鳍片与第二鳍片之间；蚀刻第一材料以露出沟槽的侧壁的上方部分；以及在第一材料之上沉积第二材料，而第二材料并未沉积在所露出的沟槽的侧壁的上方部分之上。
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公开(公告)号：CN111128744A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911053915.8
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体装置的制造方法。在一实施例中，一方法包含：从基底延伸形成第一鳍，基底包含硅，第一鳍包含硅锗；在第一鳍的周围形成隔离区，在形成隔离区期间在第一鳍上形成氧化层；以氢基蚀刻工艺从第一鳍移除氧化层，在氢基蚀刻工艺之后，第一鳍的表面处的硅以氢为尾基；脱附第一鳍的表面处的硅，以将硅去钝化；以及以第一鳍的次表面的锗交换第一鳍的表面处去钝化的硅。
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公开(公告)号：CN110783197A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910485262.4
申请日：2019-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 公开了半导体装置的制造方法及通过此方法形成的半导体装置。在一实施例中，半导体装置的制造方法包含在从基底延伸出的鳍部上沉积虚设介电层；在虚设介电层上沉积虚设栅极晶种层；将虚设栅极晶种层回焊；蚀刻虚设栅极晶种层；以及在虚设栅极晶种层上方选择性地沉积虚设栅极材料，虚设栅极材料和虚设栅极晶种层构成虚设栅极。
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公开(公告)号：CN110783197B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201910485262.4
申请日：2019-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 公开了半导体装置的制造方法及通过此方法形成的半导体装置。在一实施例中，半导体装置的制造方法包含在从基底延伸出的鳍部上沉积虚设介电层；在虚设介电层上沉积虚设栅极晶种层；将虚设栅极晶种层回焊；蚀刻虚设栅极晶种层；以及在虚设栅极晶种层上方选择性地沉积虚设栅极材料，虚设栅极材料和虚设栅极晶种层构成虚设栅极。
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