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公开(公告)号：CN116613137A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310432978.4
申请日：2023-04-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/48
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括一基板。半导体装置还包括在基板的第一侧上的导电网络。半导体装置还包括在基板的第二侧上的主动区域，其中基板的第一侧与基板的第二侧相对。半导体装置还包括电性连接到导电网络的贯通导孔，其中贯通导孔延伸穿过基板。半导体装置还包括在基板的第二侧上的接触件结构，其中接触件结构电性连接到主动区域，接触件结构与贯通导孔直接接触，并且在俯视图中接触件结构与贯通导孔的顶表面重叠。
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公开(公告)号：CN115528029A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210783453.0
申请日：2022-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种电路结构及其形成方法，电路结构包含一基板，此基板包含位于基板上方的第一晶体管堆叠，其包含第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管为第一导电类型。第二晶体管位于第一晶体管上方，且具有异于第一导电类型的第二导电类型。结构还包含在第一晶体管堆叠上方的第一金属层中的多条第一导线，这些第一导线电性连接到第一晶体管堆叠。结构还包含在基板下方以及第一晶体管堆叠下方的第二金属层中的多条第二导线，该多条第二导线电性连接到第一晶体管堆叠。多条第一导线相对于多条第二导线以不对称的方式配置。
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公开(公告)号：CN116314198A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202210901053.5
申请日：2022-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/118
Abstract: 本申请的实施例提供了半导体器件、集成电路及其制造方法。集成电路包括第一单元和第二单元。第一单元包括在第一方向上延伸的第一多个有源区域和在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第一多个栅极，第一单元具有由第一多个栅极中的间断限定的第一单元边缘。第二单元包括在第一方向上延伸的第二多个有源区域和在第二方向上延伸的第二多个栅极，第二单元具有由第二多个栅极中的间断限定的第二单元边缘。第二多个有源区域中的每个大于第一多个有源区域中的每个，并且第一单元与第二单元相邻，使得第一单元边缘与第二单元边缘对齐。
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公开(公告)号：CN114784000A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110776630.8
申请日：2021-07-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , G06F30/398
Abstract: 一种半导体元件、制造与其设计方法，半导体元件包含基材及位于基材的第一侧上的第一主动区。此半导体元件还包含围绕第一主动区的第一部分的第一栅极结构。此半导体元件还包含位于基材的第二侧上的第二主动区，其中第二侧相对于第一侧。此半导体元件还包含围绕第二主动区的第一部分的第二栅极结构。此半导体元件还包含延伸穿过基材的栅极介层窗，其中栅极介层窗直接连接第一栅极结构，且栅极介层窗直接连接第二栅极结构。
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公开(公告)号：CN115513140A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210563826.3
申请日：2022-05-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种集成电路装置及其制造方法，集成电路装置包括：一第一类型的主动区半导体结构；与该第一类型的主动区半导体结构堆叠的一第二类型的主动区半导体结构；在一正面导电层中的一正面电力轨条；及在一背面导电层中的一背面电力轨条。该集成电路装置亦包括在一晶体管的一源极区处与该第一类型的主动区半导体结构相交的一源极导电段、在该背面导电层中的一背面电源节点、及一顶至底通孔连接件。该源极导电段经由一正面端通孔连接件导电地连接至该正面电力轨条。该顶至底通孔连接件连接在该源极导电段与该背面电源节点之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114914239A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110717839.7
申请日：2021-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体元件与其制造方法，半导体元件包含基材与在基材的第一侧上的第一晶体管。半导体元件还包含接触第一晶体管的第一区的第一电极。半导体元件还包含沿着第一晶体管的侧壁延伸的间隔件。半导体元件还包含通过间隔件与第一电极的至少一部分隔开的自对准互连结构，其中自对准互连结构延伸通过基材。半导体元件还包含第二电极，该第二电极接触第一电极的最远离基材的表面，其中第二电极直接接触自对准互连结构。
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公开(公告)号：CN115799261A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202210843512.9
申请日：2022-07-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/118
Abstract: 一种集成电路及其制造方法，集成电路包括在一源极/漏极区处与一第一作用区结构相交的一第一导体区段及在一源极/漏极区处与一第二作用区结构相交的一第二导体区段。该第一导体区段及该第二导体区段在近侧边缘处以一第一分离距离分开。该第一导体具有与一第一电力轨分开的一远侧边缘，且该第二导体区段经由一通孔连接件连接至一第二电力轨。自该第一电力轨至该第一导体区段的一近侧边缘的一距离比自该第二电力轨至该第二导体区段的一近侧边缘的一距离大一预定距离，该预定距离是该分离距离的一部分。
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公开(公告)号：CN115527938A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210677472.5
申请日：2022-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体元件及其制造方法，半导体元件包括基底隔离层、第一源电极位于基底隔离层的第一侧的第一晶体管。桥柱延伸穿过基底隔离层，且金属电极将桥柱电连接至第一源电极。金属电极及第一源电极位于基底隔离层的同一侧。位于基底隔离层的相对侧的第二金属电极电连接至桥柱且电连接至位于基底隔离层的第二侧的导线。
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公开(公告)号：CN115472625A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210455846.9
申请日：2022-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/118 , H01L27/02 , H01L21/8238
Abstract: 本揭示文件提供一种集成电路及其制造方法，包含一组晶体管，该组晶体管包含一组主动区、一组电轨、一第一组导体以及一第一导体。该组主动区沿着一第一方向延伸，且位于一第一层。该组电轨沿着该第一方向延伸，且位于一第二层。该组电轨具有一第一宽度。该第一组导体沿着该第一方向延伸，且位于该第二层，并与该组主动区重叠。该第一组导体具有一第二宽度。该第一导体沿着该第一方向延伸，且位于该第二层，并位于该组第一组导体之间。该第一导体具有该第一宽度，且将该组晶体管的一第一晶体管电性耦合到该组晶体管的一第二晶体管。
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公开(公告)号：CN219642839U
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202321027552.2
申请日：2023-05-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/088
Abstract: 一种集成电路(integrated circuit,IC)结构包括在第一方向上在半导体基板中延伸的第一及第二主动区域；第一及第二栅极结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸，其中第一及第二栅极结构中的每一者上覆于第一及第二主动区域中的每一者；第一类金属定义(metal‑like defined,MD)区段，其在第二方向上在第一与第二栅极结构之间延伸，且上覆于第一及第二主动区域中的每一者；及定位在第一MD区段与第一主动区域之间的隔离结构。第一MD区段电连接至第二主动区域且与第一主动区域的在第一及第二栅极结构之间的部分电隔离。
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