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公开(公告)号：CN119486243A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411468760.5
申请日：2024-10-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 方法包括：在第一衬底上方形成第一剥离结构，其中，形成第一剥离结构包括：在第一衬底上方沉积第一剥离层；在第一剥离层上方沉积第一硅层；在第一硅层上方沉积第二剥离层；以及在第二剥离层上方沉积第二硅层；在第一剥离结构上方外延生长第一多层堆叠件；将第一多层堆叠件接合至第二多层堆叠件；以及实施第一激光退火工艺以烧蚀第一硅层以及第一剥离层和第二剥离层的部分，以将第一衬底从第一多层堆叠件剥离。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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