公开(公告)号：CN102969342B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201210107432.3

申请日：2012-04-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 安启玓 ,  陈建宏 ,  詹玉娟

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/94

CPC classification number: H01L28/86 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0207 ,  H01L28/60 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种器件，包括衬底，具有至少一个有源区；绝缘层，位于衬底上方；以及电极，位于绝缘层上方的栅电极层中，该衬底、绝缘层、以及电极形成金属氧化物半导体(MOS)电容器。第一接触层设置在电极上方，该第一接触层具有延长的第一图案，该延长的第一图案在与电极平行的第一方向上延伸。接触结构与衬底接触。接触结构具有延长的第二图案，该延长的第二图案与第一图案平行地延伸。介电材料形成在第一图案和第二图案之间，从而使得第一图案和第二图案和介电材料形成侧壁电容器，该侧壁电容器与MOS电容器并联。

公开(公告)号：CN102969342A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210107432.3

申请日：2012-04-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 安启玓 ,  陈建宏 ,  詹玉娟

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/94

CPC classification number: H01L28/86 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0207 ,  H01L28/60 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种器件，包括衬底，具有至少一个有源区；绝缘层，位于衬底上方；以及电极，位于绝缘层上方的栅电极层中，该衬底、绝缘层、以及电极形成金属氧化物半导体(MOS)电容器。第一接触层设置在电极上方，该第一接触层具有延长的第一图案，该延长的第一图案在与电极平行的第一方向上延伸。接触结构与衬底接触。接触结构具有延长的第二图案，该延长的第二图案与第一图案平行地延伸。介电材料形成在第一图案和第二图案之间，从而使得第一图案和第二图案和介电材料形成侧壁电容器，该侧壁电容器与MOS电容器并联。