公开(公告)号：CN104916637B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201510108864.X

申请日：2015-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 霍克孝 ,  杨富智 ,  蔡俊琳 ,  陈益民 ,  詹智元

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L23/64 ,  H01L21/822 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02

Abstract: 一些实施例涉及半导体器件。半导体器件包括漏极区和围绕漏极区的沟道区。源极区围绕沟道区，使得沟道区将漏极区与源极区分离。栅电极布置在沟道区上方，并且具有接近漏极的内边缘。由弯曲或多边形路径的电阻材料构成的电阻器结构布置在漏极上方，并且连接至漏极。电阻器结构以栅电极的内边缘为外围边界。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN110010672B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201811416706.0

申请日：2018-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宏洲 ,  邱奕正 ,  卡思克·穆鲁克什 ,  陈益民 ,  林炫政 ,  江文智 ,  张震谦 ,  詹智元 ,  吴国铭 ,  蔡俊琳

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种高压半导体器件结构。高压半导体器件结构包括半导体衬底，半导体衬底中的源极环和半导体衬底中的漏极区域。高压半导体器件结构还包括围绕源极环的侧面和底部的掺杂环以及围绕漏极区域和掺杂环的侧面和底部的阱区。阱区的导电类型与掺杂环的导电类型相反。高压半导体器件结构还包括导体，该导体电连接到漏极区域并且在阱区的外围上方并且横穿阱区的外围延伸。另外，高压半导体器件结构包括在导体和半导体衬底之间的屏蔽元件环。屏蔽元件环在阱区的外围上方延伸并横穿阱区的外围。本发明实施例涉及具有高压器件的半导体器件结构。

公开(公告)号：CN110010672A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811416706.0

申请日：2018-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宏洲 ,  邱奕正 ,  卡思克·穆鲁克什 ,  陈益民 ,  林炫政 ,  江文智 ,  张震谦 ,  詹智元 ,  吴国铭 ,  蔡俊琳

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种高压半导体器件结构。高压半导体器件结构包括半导体衬底，半导体衬底中的源极环和半导体衬底中的漏极区域。高压半导体器件结构还包括围绕源极环的侧面和底部的掺杂环以及围绕漏极区域和掺杂环的侧面和底部的阱区。阱区的导电类型与掺杂环的导电类型相反。高压半导体器件结构还包括导体，该导体电连接到漏极区域并且在阱区的外围上方并且横穿阱区的外围延伸。另外，高压半导体器件结构包括在导体和半导体衬底之间的屏蔽元件环。屏蔽元件环在阱区的外围上方延伸并横穿阱区的外围。本发明实施例涉及具有高压器件的半导体器件结构。

公开(公告)号：CN106653849A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610768991.7

申请日：2016-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卡西克·穆如克桑 ,  邱奕正 ,  林宏洲 ,  詹智元 ,  陈益民 ,  张震谦 ,  钟久华 ,  杨富智 ,  蔡俊琳

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L23/5225 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了半导体器件。在一些实施例中，半导体器件包括晶体管、隔离组件和导电层。晶体管包括源极区域和漏极区域。隔离组件围绕源极区域。导电层被配置为用于漏极区域的互连。导电组件介于导电层与隔离组件之间，被配置为为了隔离组件而屏蔽隔离组件上方的电场。

公开(公告)号：CN104916637A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510108864.X

申请日：2015-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 霍克孝 ,  杨富智 ,  蔡俊琳 ,  陈益民 ,  詹智元

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L23/64 ,  H01L21/822 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/0288 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/5228 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一些实施例涉及半导体器件。半导体器件包括漏极区和围绕漏极区的沟道区。源极区围绕沟道区，使得沟道区将漏极区与源极区分离。栅电极布置在沟道区上方，并且具有接近漏极的内边缘。由弯曲或多边形路径的电阻材料构成的电阻器结构布置在漏极上方，并且连接至漏极。电阻器结构以栅电极的内边缘为外围边界。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。