公开(公告)号：CN109585373A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810239155.9

申请日：2018-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡伩哲 ,  谢旻谚 ,  陈华丰 ,  潘国华

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明提供了一种方法，方法包括在半导体衬底中形成隔离部件；在半导体衬底上形成第一鳍和第二鳍，其中，第一鳍和第二鳍由所述隔离部件横向分离；并且形成接合在第一鳍和第二鳍上的伸长的接触部件。伸长的接触部件进一步嵌入到隔离部件中，封闭垂直地位于接触部件和隔离部件之间的气隙。本发明的实施例还涉及具有可控气隙的FinFET结构。

公开(公告)号：CN109585373B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201810239155.9

申请日：2018-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡伩哲 ,  谢旻谚 ,  陈华丰 ,  潘国华

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明提供了一种方法，方法包括在半导体衬底中形成隔离部件；在半导体衬底上形成第一鳍和第二鳍，其中，第一鳍和第二鳍由所述隔离部件横向分离；并且形成接合在第一鳍和第二鳍上的伸长的接触部件。伸长的接触部件进一步嵌入到隔离部件中，封闭垂直地位于接触部件和隔离部件之间的气隙。本发明的实施例还涉及具有可控气隙的FinFET结构。

公开(公告)号：CN109427890A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201711162406.X

申请日：2017-11-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡伩哲 ,  谢旻谚 ,  陈华丰 ,  潘国华

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

Abstract: 本揭露的实施例提供一种半导体元件包含基板、绝缘层形成于基板之上；多个鳍状物垂直地形成自基板的表面，这些鳍状物延伸穿过绝缘层且于绝缘层的顶面之上；栅极结构形成于这些鳍状物的一部分之上且于绝缘层的顶面之上；源极/漏极结构配置相邻于栅极结构的相对两侧，源极/漏极结构接触鳍状物；介电层形成于绝缘层之上；第一接触沟槽以第一深度延伸穿过介电层以暴露源极/漏极结构，第一接触沟槽含有导电材料；以及第二接触沟槽以第二深度延伸穿过介电层，第二接触沟槽包含导电材料，且第二深度大于第一深度。