公开(公告)号：CN105895527B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201610073187.7

申请日：2016-02-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧婉匀 ,  金雅琴 ,  林崇荣 ,  陈皇魁 ,  张宗生

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和在衬底上方形成的栅极结构。半导体结构还包括邻近栅极结构在衬底中形成的第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构。半导体结构还包括在衬底上方形成的层间介电层，层间介电层覆盖栅极结构、第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构。半导体结构还包括在第一源极/漏极结构上方的层间介电层中形成的第一导电结构。半导体结构还包括在第二源极/漏极结构上方的层间介电层中形成的第二导电结构。另外，第一导电结构与第一源极/漏极结构直接接触，以及第二导体结构与二源极/漏极结构不直接接触。本发明实施例涉及具有数据存储结构的半导体结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN105895527A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610073187.7

申请日：2016-02-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧婉匀 ,  金雅琴 ,  林崇荣 ,  陈皇魁 ,  张宗生

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和在衬底上方形成的栅极结构。半导体结构还包括邻近栅极结构在衬底中形成的第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构。半导体结构还包括在衬底上方形成的层间介电层，层间介电层覆盖栅极结构、第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构。半导体结构还包括在第一源极/漏极结构上方的层间介电层中形成的第一导电结构。半导体结构还包括在第二源极/漏极结构上方的层间介电层中形成的第二导电结构。另外，第一导电结构与第一源极/漏极结构直接接触，以及第二导体结构与二源极/漏极结构不直接接触。本发明实施例涉及具有数据存储结构的半导体结构及其制造方法。