使用双轨电源供应的互补式金氧半晶体管组成的基本标准组件布局

    公开(公告)号:CN1449019A

    公开(公告)日:2003-10-15

    申请号:CN02106133.5

    申请日:2002-04-04

    Abstract: 本发明揭露一种使用双轨电源供应的互补式金氧半晶体管(CMOS)组成的基本标准元件布局,至少包含:复数个CMOS晶体管,其中一半个数的CMOS晶体管位于接参考电位的第一金属导线上方,其余一半个数的CMOS晶体管位于第一金属导线下方;上半部的CMOS晶体管连接至第二金属导线,下半部的CMOS晶体管连接至第三金属导线,第二金属导线及第三金属导线连接至一电源供应端,此外每两个相邻接CMOS晶体管为一组,每一组的汲极端互相连接,闸极端也互相连接,该每一组的汲极端系做为一讯号输出端或相邻一组的闸极的输入端。

    电源供应扰动双轨电源供应的互补式金属氧化组件布局

    公开(公告)号:CN1210785C

    公开(公告)日:2005-07-13

    申请号:CN02106133.5

    申请日:2002-04-04

    Abstract: 本发明揭露一种使用双轨电源供应的互补式金属氧化半导体晶体管(CMOS)组成的基本标准元件布局,至少包含:多个CMOS晶体管,其中一半个数的CMOS晶体管位于接参考电位的第一金属导线上方,其余一半个数的CMOS晶体管位于第一金属导线下方;上半部的CMOS晶体管连接至第二金属导线,下半部的CMOS晶体管连接至第三金属导线,第二金属导线及第三金属导线连接至一电源供应端,此外每两个相邻接CMOS晶体管为一组,每一组的漏极端互相连接,栅极端也互相连接,该每一组的漏极端系做为一讯号输出端或相邻一组的栅极的输入端。

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