-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110635687B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910543322.3
申请日：2019-06-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种降压转换器电路以及降压转换方法。在一些实施例中，降压转换器电路包含第一开关装置、第二开关装置、电感器以及控制器。电感器电性耦接到在其处第一开关装置的源极/漏极端与第二开关装置的源极/漏极端电性耦接的节点。控制器配置成使第一开关装置在接通与断开之间交替地改变，且进一步配置成使第二开关装置在接通与断开之间交替地改变。当第二开关装置接通时，第一开关装置断开。紧接在第二开关装置在接通与断开之间转变之前或之后，第一开关装置部分地接通。
-
公开(公告)号：CN110635687A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910543322.3
申请日：2019-06-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种降压转换器电路以及降压转换方法。在一些实施例中，降压转换器电路包含第一开关装置、第二开关装置、电感器以及控制器。电感器电性耦接到在其处第一开关装置的源极/漏极端与第二开关装置的源极/漏极端电性耦接的节点。控制器配置成使第一开关装置在接通与断开之间交替地改变，且进一步配置成使第二开关装置在接通与断开之间交替地改变。当第二开关装置接通时，第一开关装置断开。紧接在第二开关装置在接通与断开之间转变之前或之后，第一开关装置部分地接通。
-
公开(公告)号：CN112865531B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202110040743.1
申请日：2019-06-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种降压转换器电路以及降压转换方法。在一些实施例中，降压转换器电路包含第一开关装置、第二开关装置、电感器以及控制器。电感器电性耦接到在其处第一开关装置的源极/漏极端与第二开关装置的源极/漏极端电性耦接的节点。控制器配置成使第一开关装置在接通与断开之间交替地改变，且进一步配置成使第二开关装置在接通与断开之间交替地改变。当第二开关装置接通时，第一开关装置断开。紧接在第二开关装置在接通与断开之间转变之前或之后，第一开关装置部分地接通。
-
公开(公告)号：CN112865531A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110040743.1
申请日：2019-06-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种降压转换器电路以及降压转换方法。在一些实施例中，降压转换器电路包含第一开关装置、第二开关装置、电感器以及控制器。电感器电性耦接到在其处第一开关装置的源极/漏极端与第二开关装置的源极/漏极端电性耦接的节点。控制器配置成使第一开关装置在接通与断开之间交替地改变，且进一步配置成使第二开关装置在接通与断开之间交替地改变。当第二开关装置接通时，第一开关装置断开。紧接在第二开关装置在接通与断开之间转变之前或之后，第一开关装置部分地接通。
-
公开(公告)号：CN222621486U
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202421308266.8
申请日：2024-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露的一些实施例描述一种具有人造场板的半导体装置。半导体装置包括基板上的第一氮化镓层、第一氮化镓层上的氮化铝镓层、及氮化铝镓层上的第二氮化镓层。第一与第二氮化镓层包括不同类型的掺杂剂。半导体装置进一步包括与第二氮化镓层接触的栅极接触结构、与氮化铝镓层接触的第一及第二源极/漏极接触结构、栅极接触结构与第一源极/漏极接触结构之间的一或多个人造场板。第一及第二源极/漏极接触结构设置于栅极接触结构的相对侧上。一或多个人造场板与第一及第二源极/漏极接触结构分离开并在氮化铝镓层上。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.032 seconds)
