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发明公开
半导体装置的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN115377001A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210706183.3

申请日：2022-06-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士尧 , 陈振平 , 游家豪 , 李筱雯 , 林志翰 , 张铭庆 , 陈昭成

IPC: H01L21/8234

Abstract: 说明一种半导体装置的制造方法。在一基底的上方形成多个鳍状物。形成多个虚设栅极，其在上述鳍状物的上方被图形化，每个上述虚设栅极在上述图形化的虚设栅极的侧壁上具有一间隔物。使用上述图形化的虚设栅极作为一遮罩，在上述鳍状物形成多个凹部。在上述鳍状物的上方及在上述鳍状物中的上述凹部形成一钝化层。图形化上述钝化层，以仅在上述鳍状物中的上述凹部中的一些留下一保留的钝化结构。仅在上述鳍状物中不具上述保留的钝化结构的上述凹部外延形成多个源极与漏极区。

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