公开(公告)号：CN103515417A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210414968.X

申请日：2012-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄正吉 ,  黄坤铭 ,  洪暄惠 ,  林明毅

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/314 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02271 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L21/76297 ,  H01L27/02 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种集成电路包括衬底和钝化层。钝化层包括形成在衬底上方的用于钝化的底部介电层、形成在底部介电层上方的用于钝化的掺杂介电层、和形成在掺杂介电层上方的用于钝化的顶部介电层。本发明提供了一种钝化方案。

公开(公告)号：CN103515417B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201210414968.X

申请日：2012-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄正吉 ,  黄坤铭 ,  洪暄惠 ,  林明毅

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/314 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02271 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种集成电路包括衬底和钝化层。钝化层包括形成在衬底上方的用于钝化的底部介电层、形成在底部介电层上方的用于钝化的掺杂介电层、和形成在掺杂介电层上方的用于钝化的顶部介电层。本发明提供了一种钝化结构及其形成方法。