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公开(公告)号：CN108122775A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710963927.9
申请日：2017-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 实施例是一种方法，包括：形成衬底的凸起部分；在衬底的凸起部分上形成鳍，围绕鳍形成隔离区域，隔离区域的第一部分位于邻近的鳍之间的衬底的凸起部分的顶面上，在鳍上方形成栅极结构，并且在栅极结构的相对侧上形成源极/漏极区域，其中，形成源极/漏极区域包括：在邻近栅极结构的鳍上外延生长第一外延层，回蚀刻第一外延层，在蚀刻的第一外延层上外延生长第二外延层，以及回蚀刻第二外延层，蚀刻的第二外延层具有非小平面式顶面，蚀刻的第一外延层和蚀刻的第二外延层形成源极/漏极区域。本发明的实施例还涉及FET和形成FET的方法。
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公开(公告)号：CN107017299B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201610994207.4
申请日：2016-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括一半导体基板。一介电封闭结构形成于半导体基板中。一鳍型场效晶体管装置的一源极/漏极形成于半导体基板上。源极/漏极的一底部区镶嵌至半导体基板中。源极/漏极的底部区具有一V型截面轮廓。源极/漏极的底部区经由半导体基板的部分而与介电封闭结构分离。
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公开(公告)号：CN112530943A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011400802.3
申请日：2016-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 半导体器件包括衬底、至少一个第一隔离结构、至少两个第二隔离结构和外延结构。衬底中具有多个半导体鳍。第一隔离结构设置在半导体鳍之间。半导体鳍设置在第二隔离结构之间，并且第二隔离结构比第一隔离结构更多地延伸进衬底中。外延结构设置在半导体鳍上。在第一隔离结构与外延结构之间存在至少一个空隙。本发明还提供了半导体器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN112017964A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010165588.1
申请日：2020-03-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 本公开涉及半导体装置的制造方法。在半导体装置中形成源极/漏极区域的方法，以及包括以该方法形成的源极/漏极区域的半导体装置。在一实施例中，方法包括蚀刻半导体鳍片以形成第一凹槽，半导体鳍片定义第一凹槽的侧壁及底部表面，半导体鳍片在第一方向上延伸；在第一凹槽中形成包括单一连续材料的源极/漏极区域，单一连续材料自第一凹槽的底部表面延伸至高于半导体鳍片的顶部表面，形成源极/漏极区域的前驱物气体包括磷化氢(PH3)，并包括砷化氢(AsH3)或单甲基硅甲烷(CH6Si)中至少一者；以及在相邻于源极/漏极区域的半导体鳍片上形成在垂直于第一方向的第二方向上延伸的栅极。
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公开(公告)号：CN110648917A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910117130.6
申请日：2019-02-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/08
Abstract: 本申请一般涉及形成源极/漏极区于半导体装置如n型通道装置中的外延方式。在一例中，提供半导体装置的形成方法。该方法一般包括形成凹陷于鳍状物中，且鳍状物位于基板上。凹陷与鳍状物上的栅极结构相邻。方法包括采用远端等离子体化学气相沉积工艺外延成长源极/漏极区于凹陷中。远端等离子体化学气相沉积工艺包含采用硅源前体与氢气承载气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106531737A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610744135.8
申请日：2016-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/06 , H01L21/762 , H01L21/764
CPC classification number: H01L29/0649 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/283 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/76224 , H01L21/764 , H01L29/0847 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 半导体器件包括衬底、至少一个第一隔离结构、至少两个第二隔离结构和外延结构。衬底中具有多个半导体鳍。第一隔离结构设置在半导体鳍之间。半导体鳍设置在第二隔离结构之间，并且第二隔离结构比第一隔离结构更多地延伸进衬底中。外延结构设置在半导体鳍上。在第一隔离结构与外延结构之间存在至少一个空隙。本发明还提供了半导体器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN110970302B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN201910894295.4
申请日：2019-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置的形成方法包括形成鳍片突出于基板之上，形成栅极结构于鳍片之上，形成凹槽于邻近栅极结构的鳍片中；以及形成源极/漏极区域于凹槽中，源极/漏极区域包括第一膜层、第二膜层、及第三膜层。形成源极/漏极区域包括：在第一工艺条件下进行第一外延工艺以在凹槽中形成第一膜层，第一膜层沿着凹槽所露出的鳍片的表面延伸，在第二工艺条件下进行第二外延工艺以在第一膜层上形成第二膜层；以及在第三工艺条件下进行第三外延工艺以在第二膜层上形成第三膜层，第三膜层填充凹槽。第一工艺条件、第二工艺条件、及第三工艺条件不同。
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公开(公告)号：CN112086514A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010338640.9
申请日：2020-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L21/336 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体装置，包括从基板延伸的第一鳍片、在第一鳍片的侧壁上方并沿着第一鳍片的侧壁的第一栅极堆叠、沿着第一栅极堆叠的侧壁设置的第一栅极间隔物、以及在第一鳍片中并相邻于第一栅极间隔物的第一源极/漏极区。第一源极/漏极区包括在第一鳍片上的第一绝缘层和在第一绝缘层上的第一外延层。
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公开(公告)号：CN108122775B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201710963927.9
申请日：2017-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 实施例是一种方法，包括：形成衬底的凸起部分；在衬底的凸起部分上形成鳍，围绕鳍形成隔离区域，隔离区域的第一部分位于邻近的鳍之间的衬底的凸起部分的顶面上，在鳍上方形成栅极结构，并且在栅极结构的相对侧上形成源极/漏极区域，其中，形成源极/漏极区域包括：在邻近栅极结构的鳍上外延生长第一外延层，回蚀刻第一外延层，在蚀刻的第一外延层上外延生长第二外延层，以及回蚀刻第二外延层，蚀刻的第二外延层具有非小平面式顶面，蚀刻的第一外延层和蚀刻的第二外延层形成源极/漏极区域。本发明的实施例还涉及FET和形成FET的方法。
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公开(公告)号：CN111128739A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911045015.9
申请日：2019-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本申请提供一种半导体装置及其制造方法。此方法包含凹蚀延伸自基板的鳍片、形成基底外延部件于凹蚀的鳍片上、形成棒状外延部件于基底外延部件上、及形成保形外延部件于棒状外延部件上。棒状外延部件的形成包含在第一掺杂浓度下以N型掺质原位掺杂棒状外延部件。保形外延部件的形成包含在大于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度下掺杂保形外延部件。
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