公开(公告)号：CN116825784A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310169971.8

申请日：2023-02-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林汶儀 ,  胡希圣 ,  陈朝祺

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本揭示内容描述一种半导体结构及其制造方法，特别是具有异质结构通道层的半导体结构。该半导体结构包括基板及位于基板上的鳍片结构。该鳍片结构包括通道层及位于通道层与基板之间的底层。该通道层包括位于该底层顶部的第一部分、第二部分及第三部分。该第一部分及该第三部分包括与该底层相同的材料。该第二部分包括与该底层不同的材料。该半导体结构进一步包括位于该底层上且与该通道层相邻的第一源极/漏极结构及第二源极/漏极结构。该第一源极/漏极结构与该通道层的该第一部分接触。该第二源极/漏极结构与该通道层的该第三部分接触。

公开(公告)号：CN118888444A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410189506.5

申请日：2024-02-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林汶儀 ,  胡希圣 ,  朱崇豪 ,  陈朝祺

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 本揭示内容提供一种制造半导体装置的方法、多栅极半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包括提供从基板延伸的第一鳍。在一些实施方式中，方法还包括在第一鳍上形成第一栅极堆叠。在一些示例中，方法还包括沿着第一鳍的表面及第一栅极堆叠下方形成第一掺杂层。在一些实施中，第一掺杂层的第一掺杂剂种类与半导体装置的源极/漏极特征的第二掺杂剂种类具有相同的极性。