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公开(公告)号：CN118888444A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410189506.5
申请日：2024-02-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/78
Abstract: 本揭示内容提供一种制造半导体装置的方法、多栅极半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包括提供从基板延伸的第一鳍。在一些实施方式中，方法还包括在第一鳍上形成第一栅极堆叠。在一些示例中，方法还包括沿着第一鳍的表面及第一栅极堆叠下方形成第一掺杂层。在一些实施中，第一掺杂层的第一掺杂剂种类与半导体装置的源极/漏极特征的第二掺杂剂种类具有相同的极性。
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