公开(公告)号：CN107993947B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201710710938.6

申请日：2017-08-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何韦德 ,  林书宏 ,  张雅惠 ,  江直融 ,  蔡昌益 ,  杨宗潾 ,  陈桂顺

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明的实施例提供了一种方法，包括接收具有第一层和位于第一层上方第二层的器件，该第一层具有第一重叠标记。该方法还包括在第二层上方形成第一光刻胶图案，第一光刻胶图案具有第二重叠标记。该方法还包括使用第一光刻胶图案中的第二重叠标记和第一重叠标记实施第一重叠测量；以及实施一个或多个第一制造工艺，由此将第二重叠标记转印至第二层中并且去除第一光刻胶图案。该方法还包括实施包括在第二层上方形成第三层的一个或多个第二制造工艺。在实施一个或多个第二制造工艺之后，该方法包括使用第二层中的第二重叠标记和第一重叠标记来实施第二重叠测量。

公开(公告)号：CN107993947A

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201710710938.6

申请日：2017-08-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何韦德 ,  林书宏 ,  张雅惠 ,  江直融 ,  蔡昌益 ,  杨宗潾 ,  陈桂顺

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/20 ,  G03F7/70633 ,  H01L22/12 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明的实施例提供了一种方法，包括接收具有第一层和位于第一层上方第二层的器件，该第一层具有第一重叠标记。该方法还包括在第二层上方形成第一光刻胶图案，第一光刻胶图案具有第二重叠标记。该方法还包括使用第一光刻胶图案中的第二重叠标记和第一重叠标记实施第一重叠测量；以及实施一个或多个第一制造工艺，由此将第二重叠标记转印至第二层中并且去除第一光刻胶图案。该方法还包括实施包括在第二层上方形成第三层的一个或多个第二制造工艺。在实施一个或多个第二制造工艺之后，该方法包括使用第二层中的第二重叠标记和第一重叠标记来实施第二重叠测量。

公开(公告)号：CN107015446A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610858785.5

申请日：2016-09-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈庆煌 ,  林书宏 ,  吕奎亮 ,  张雅惠 ,  谢弘璋

IPC: G03F9/00

CPC classification number: G03F7/70141 ,  G03F7/70633 ,  G03F9/7076 ,  H01L22/12 ,  Y10S438/975 ,  G03F9/708

Abstract: 用于半导体制造的器件包括衬底和形成在衬底上方的层，其中，层包括对准标记。对准标记包括沿着第一方向纵向定向的多个第一纵长构件，并且该多个第一纵长构件沿着第二方向分布。对准标记还包括沿着与第一方向垂直的第三方向纵向定向的多个第二纵长构件，并且该多个第二纵长构件沿着第二方向分布，其中第二方向与第一方向和第三方向中的每一个都不同。本发明还提供了光刻对准标记。