公开(公告)号：CN114823521A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210091496.2

申请日：2022-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕升 ,  李晓菁 ,  李宜静

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体结构及一种用于形成半导体结构的方法。移除牺牲栅极层以形成暴露牺牲电介质层的栅极沟槽。对由所述栅极沟槽中的所述牺牲电介质层覆盖的衬底的一部分执行离子植入。移除所述牺牲电介质层以从所述栅极沟槽暴露所述衬底。在所述栅极沟槽中的所述衬底上方形成界面层。在所述栅极沟槽中的所述界面层上方形成金属栅极结构。

公开(公告)号：CN113054025B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202110108315.8

申请日：2021-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李晓菁 ,  张嘉德 ,  李宜静

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请的实施例描述了一种用于形成具有锥形底部轮廓的以改善结构刚度和栅极控制特性的超薄鳍的方法。该方法包括形成鳍结构，该鳍结构包括外延层部分和被隔离区域围绕的掺杂区域部分，使得外延层部分的顶部在隔离区域之上。该方法还包括在隔离区域之上的外延层的顶部上沉积硅基层，并对硅基层进行退火以使硅基层回流。该方法还包括在隔离区域之上蚀刻硅基层和鳍结构以在隔离区域之上的鳍结构中形成第一底部锥形轮廓，并且对鳍结构进行退火以在第一底部锥形下方和隔离区域之上形成第二底部锥形轮廓。根据本申请的实施例，还提供了半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN113054025A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202110108315.8

申请日：2021-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李晓菁 ,  张嘉德 ,  李宜静

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请的实施例描述了一种用于形成具有锥形底部轮廓的以改善结构刚度和栅极控制特性的超薄鳍的方法。该方法包括形成鳍结构，该鳍结构包括外延层部分和被隔离区域围绕的掺杂区域部分，使得外延层部分的顶部在隔离区域之上。该方法还包括在隔离区域之上的外延层的顶部上沉积硅基层，并对硅基层进行退火以使硅基层回流。该方法还包括在隔离区域之上蚀刻硅基层和鳍结构以在隔离区域之上的鳍结构中形成第一底部锥形轮廓，并且对鳍结构进行退火以在第一底部锥形下方和隔离区域之上形成第二底部锥形轮廓。根据本申请的实施例，还提供了半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN222547918U

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202421227499.5

申请日：2024-05-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李晓菁

IPC: H10D84/83

Abstract: 本揭示内容提供一种半导体结构，包括基板上的第一半导体鳍及第二半导体鳍、在第一半导体鳍上的第一栅极结构、在第二半导体鳍上的第二栅极结构，以及在第一半导体鳍及第二半导体鳍之间及在第一栅极结构及第二栅极结构之间的栅极隔离结构，其中栅极隔离结构包括位于栅极隔离结构的下部的第一介电层及位于栅极隔离结构的上部的第二介电层，以及第二介电层的宽度大于第一介电层的宽度。