公开(公告)号：CN113223963A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110019008.2

申请日：2021-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄玉莲 ,  傅劲逢 ,  林焕哲 ,  李富生 ,  何彩蓉 ,  谢博全 ,  陈冠亘 ,  王冠人

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及半导体器件中的金属至源极/漏极插塞的间隙图案化。一种方法可以包括在提供在第一源极/漏极和第二源极/漏极上的第一电介质层的顶部上提供掩模层，以及在掩模层和第一电介质层中创建暴露第一源极/漏极和第二源极/漏极的部分的开口。该方法可以包括用覆盖第一源极/漏极和第二源极/漏极的暴露部分的金属层填充开口，以及在金属层中形成间隙以创建第一金属接触件和第二金属接触件。第一金属接触件可以电耦合至第一源极/漏极，并且第二金属接触件可以电耦合至第二源极/漏极。间隙可以使第一金属接触件与第二金属接触件分开小于十九纳米。

公开(公告)号：CN113223963B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202110019008.2

申请日：2021-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄玉莲 ,  傅劲逢 ,  林焕哲 ,  李富生 ,  何彩蓉 ,  谢博全 ,  陈冠亘 ,  王冠人

IPC: H10D30/01 ,  H10D62/10 ,  H10D30/62

Abstract: 本公开涉及半导体器件中的金属至源极/漏极插塞的间隙图案化。一种方法可以包括在提供在第一源极/漏极和第二源极/漏极上的第一电介质层的顶部上提供掩模层，以及在掩模层和第一电介质层中创建暴露第一源极/漏极和第二源极/漏极的部分的开口。该方法可以包括用覆盖第一源极/漏极和第二源极/漏极的暴露部分的金属层填充开口，以及在金属层中形成间隙以创建第一金属接触件和第二金属接触件。第一金属接触件可以电耦合至第一源极/漏极，并且第二金属接触件可以电耦合至第二源极/漏极。间隙可以使第一金属接触件与第二金属接触件分开小于十九纳米。