公开(公告)号：CN118712076A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410739891.6

申请日：2024-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗恩 ,  宋明远 ,  江宏礼 ,  王哲夫 ,  郑兆钦 ,  拉杜·安娜

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 一种形成半导体器件的方法包括在第一衬底上方形成第一接合焊盘，其中第一接合焊盘包括铁磁材料的层，其中每个第一接合焊盘产生具有第一定向的相应磁场；以及使用金属至金属接合将第二接合焊盘接合至第一接合焊盘。本公开的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN119230596A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411242715.8

申请日：2024-09-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江宏礼 ,  李宗恩 ,  王哲夫 ,  郑兆钦 ,  拉杜·安娜 ,  庄正吉 ,  张智胜 ,  蔡庆威

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：半导体衬底；多个晶体管，设置在半导体衬底上，并且包括沿着第一方向纵向延伸的多个栅极结构；金属化层，设置在多个晶体管上方，金属化层包括多个金属层和多个接触通孔；介电层，位于金属化层上方；多个介电鳍部，沿着第一方向平行延伸，并且设置在介电层上方；半导体层，共形地设置在多个介电鳍部上方；源极接触件和漏极接触件，直接设置在半导体层上方；以及栅极结构，设置在半导体层上方，并且位于源极接触件和漏极接触件之间。

公开(公告)号：CN119059488A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411100871.0

申请日：2024-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江宏礼 ,  林璟晖 ,  郑创仁 ,  拉杜·安娜

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H03K17/51

Abstract: 本公开实施例的一个方面涉及器件。器件包括：衬底；逻辑电路，设置在衬底上；以及纳米机电系统(NEMS)器件，电连接至逻辑电路并且形成在衬底上。NEMS器件包括：第一电极，电连接至逻辑电路；第二电极，电连接至第一电源；可移动部件，电连接至第二电极；以及控制电极，可操作以相对于第一电极移动可移动部件。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。