公开(公告)号：CN107452785A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201611060685.4

申请日：2016-11-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭建利 ,  刘家宏 ,  陈柏玮 ,  戴士翔

IPC: H01L29/40 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/401 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明实施例提供一种高压晶体管装置。高压晶体管装置包含设于源极区和漏极区之间的栅极电极，其中层间介电层隔开栅极电极与基材。间隙壁沿着基材的上表面设置。间隙壁沿着接近漏极区的第一栅极侧壁延伸，跨越栅极电极的上边缘，并进一步横向地延伸以覆盖一部分的栅极电极的上表面。包括多晶硅薄膜的场板沿着间隙壁的上表面和侧壁表面设置，以隔开场板和多晶硅薄膜与基材。场板有助于改善高压晶体管装置的崩溃电压。