公开(公告)号：CN110957365A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910909570.5

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 麦特西亚斯·帕斯拉克 ,  荷尔本·朵尔伯斯 ,  彼得·拉姆瓦尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L27/092 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明描述了半导体结构，该半导体结构包括来自未掺杂半导体材料的衬底和设置在衬底上的鳍。该鳍包括非极性顶面和两个相对的第一和第二极性侧壁表面。该半导体结构还包括位于第一极性侧壁表面上的极化层、位于极化层上的掺杂半导体层、位于掺杂半导体层和第二极性侧壁表面上的介电层，以及位于介电层和第一极性侧壁表面上的栅电极层。本发明的实施例还涉及半导体电路。

公开(公告)号：CN110957365B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201910909570.5

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 麦特西亚斯·帕斯拉克 ,  荷尔本·朵尔伯斯 ,  彼得·拉姆瓦尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L27/092 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205