-
公开(公告)号：CN120015695A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411627624.6
申请日：2024-11-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/31 , H01L23/48
Abstract: 方法包括：形成第一器件管芯，包括：在半导体衬底上形成集成电路；以及在半导体衬底上形成互连结构。互连结构具有多个金属层。方法还包括：将第二器件管芯接合至第一器件管芯；以及形成围绕第二器件管芯的间隙填充区域。在第一形成工艺中，形成第一TSV以穿透半导体衬底，其中，第一TSV具有第一宽度。在第二形成工艺中，形成第二TSV以穿透半导体衬底。第二TSV具有与第一宽度不同的第二宽度。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN119833499A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411906016.9
申请日：2024-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 在实施例中，半导体器件可以包括第一结构，第一结构包括第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一结构可以包括：第一衬底和从第一衬底的第二表面暴露的第一衬底贯通孔(TSV)。第一TSV具有第一宽度。半导体器件可以还包括从第一结构的第二表面暴露的第二TSV，第二TSV具有小于第一宽度的第二宽度。半导体器件可以还包括围绕第一TSV和第二TSV中的每个的保护环。另外，半导体器件可以包括接合到第一结构的第一表面的第二结构，第一表面包括第一接合焊盘。本公开的实施例还提供了形成半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN117276201A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311112877.5
申请日：2023-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 提供了半导体结构及其形成方法。根据本发明的实施例的形成半导体器件的方法包括在衬底上形成有源区域，在有源区域上方形成互连结构，互连结构包括多个介电层和设置在介电层内的保护环，蚀刻穿过互连结构和有源区域的至少第一部分的开口，开口延伸进入衬底中，以及在开口内形成通孔结构。在沿着垂直于衬底的顶表面的方向观察时，通孔结构由保护环围绕。
-
公开(公告)号：CN119965191A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510071534.1
申请日：2025-01-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/60
Abstract: 公开了用于芯片堆叠件的贯通孔电力传输结构及其制造方法。示例性堆叠芯片结构包括第一芯片和第二芯片。第一芯片具有第一衬底、第一器件层和第一互连结构。第二芯片具有第二衬底、第二器件层和第二互连结构。第一贯通孔延伸穿过第一衬底、第一器件层、第一互连结构，并且进入第二互连结构。第二贯通孔延伸穿过第一衬底、第一器件层，并且进入第一互连结构。第二贯通孔和第一贯通孔可以分别电连接至第一器件层和第二器件层，并且可以分别经由第二贯通孔和第一贯通孔将电力传输到第一器件层和第二器件层。本公开的实施例还涉及集成电路封装件及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN119521715A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411152318.1
申请日：2024-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种形成半导体结构的方法包括：在衬底的第一区域上方形成第一纳米结构；在衬底的第二区域上方形成第二纳米结构；在第一纳米结构周围形成第一栅极结构；用隔离区域替换第二纳米结构；以及在衬底上方形成密封环，其中，密封环位于第一区域和第二区域之间。本公开的实施例还涉及半导体结构。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118198128A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410193764.0
申请日：2024-02-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明的实施例提供了一种集成电路器件，该集成电路器件包括第一导电焊盘在第一方向上设置在衬底的第一侧上方。该集成电路器件包括第二导电焊盘在第一方向上设置在衬底的第二侧上方。该集成电路器件包括衬底贯通孔(TSV)在第一方向上延伸至衬底中。TSV在第一方向上设置在第一导电焊盘和第二导电焊盘之间。该集成电路器件包括空气衬垫在与第一方向不同的第二方向上设置在TSV和衬底之间。本发明的另一些实施例还提供了形成集成电路器件的方法。
-
公开(公告)号：CN113178418A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110231275.6
申请日：2021-03-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/092 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 半导体器件包括衬底。栅极结构在垂直方向上设置在衬底上方。栅极结构在第一水平方向上延伸。空气间隔件在与第一水平方向不同的第二水平方向上设置为与栅极结构的第一部分相邻。空气间隔件在由垂直方向和第一水平方向限定的截面侧视图中具有垂直边界。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN119517891A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411512794.X
申请日：2024-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L23/528 , H01L23/522
Abstract: 描述了半导体器件结构及其形成方法。结构包括设置在互连结构和衬底中的硅通孔(TSV)、位于围绕TSV的互连结构中的保护结构以及围绕保护结构的有源区域。保护结构和有源区域之间的间隔没有伪器件。本申请的实施例还涉及半导体封装件。
-
公开(公告)号：CN119421484A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411410706.5
申请日：2024-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 根据本公开的半导体结构包括衬底；衬底贯通孔(TSV)单元，设置在衬底上方；以及TSV，延伸穿过TSV单元和衬底。TSV单元包括：保护环结构，绕着TSV单元的周边延伸，和缓冲区，由保护环结构围绕。缓冲区包括第一伪晶体管和第二伪晶体管。第一伪晶体管中的每个包括：两个第一类型外延部件，第一多个纳米结构，在两个第一类型外延部件之间延伸，和第一隔离栅极结构，包裹在第一多个纳米结构上方。第二伪晶体管中的每个包括两个第二类型外延部件，第二多个纳米结构，在两个第一类型外延部件之间延伸，和第二隔离栅极结构，包裹在第二多个纳米结构上方。本公开的实施例还提供了形成半导体结构的方法。
-
公开(公告)号：CN119153434A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411152304.X
申请日：2024-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 实施例包括器件，器件包括：第一管芯，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一管芯包括从第一管芯的第二表面暴露的多个衬底通孔(TSV)。器件也包括围绕多个TSV的保护环。器件也包括围绕保护环的伪金属化图案。器件也包括连接至第一管芯中的有源器件的有源金属化图案。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.023 seconds)
