公开(公告)号：CN115527940A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210906285.X

申请日：2022-07-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张敦仁 ,  谢东衡 ,  杨宝如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 集成电路装置及其修改方法和形成方法，包括接收集成电路(IC)布局设计，其包括彼此邻接的第一电路单元和第二电路单元。第一电路单元包含第一IC部件，并且第二电路单元包含第二IC部件。当第一电路单元和第二电路单元邻接在一起时，确定第一IC部件和第二IC部件之间的距离小于预定阈值。修改IC布局设计，使得在修改后的IC布局设计中消除第一IC部件和第二IC部件之间的距离。

公开(公告)号：CN115621246A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210905583.7

申请日：2022-07-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张敦仁 ,  谢东衡 ,  杨宝如

IPC: H01L23/525 ,  H01L23/532

Abstract: 本公开提供一种熔丝结构。熔丝结构包括第一晶体管和第二晶体管，该第一晶体管和该第二晶体管的每一个具有源极端子、漏极端子和栅极端子；第一源极/漏极接点，设置在第一晶体管的源极端子上；第二源极/漏极接点，设置在第二晶体管的漏极端子上；绝缘体，横向设置在第一源极/漏极接点和第二源极/漏极接点之间；源极/漏极接点导孔，设置在第一源极/漏极接点上；以及编程线，连接到源极/漏极接点导孔，其中绝缘体的宽度被设置成使得跨接在源极/漏极接点导孔和第二晶体管的漏极端子上所施加的编程电压能够击穿上述绝缘体。