-
公开(公告)号：CN1437258A
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN02104721.9
申请日：2002-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有深井区结构的静电放电(ESD)防护组件及相关的ESD防护电路，ESD防护组件设于一耦合至一相对低电压源的P型基底上，其包含有一侧向硅控整流器及一深N型井，侧向硅控整流器有一p型层、一N型层、一第一N型井以及一第一P型井，该p型层作为该SCR的一阳极，该N型层作为该SCR的一阴极，该第一N型井设于该p型层与该N型层之间，邻接至该p型层，该第一P型井邻接至该N型层与该第一N型井，该深N型井设于该第一P型井与该P型基底之间，用以隔绝该第一P型井至该P型基底之间的电连接。本发明的ESD防护组件可以被自由的串接多个，以提高ESD防护电路的总持守电压，并预防栓锁事件的发生。
-
公开(公告)号：CN1438705A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN02105023.6
申请日：2002-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种二极管以及相关的静电放电防护电路，该二极管包含有一第一导电性型的第一半导体层以及一第二导电型的MOS晶体管，该第一半导体层作为该二极管之一第一电极，该MOS晶体管，包含有一环型闸、一第二导电型的第一源/汲掺杂区以及一第二导电型的第二源/汲掺杂区，该环型闸绝缘地设于该第一半导体层上，以阻隔STI厚氧化层的生成，该第一源/汲掺杂区形成于该环型闸极所围绕的该第一半导体层的表面，作为该二极管之一第二电极，该第二导电型的第二源/汲掺杂区形成于该第一半导体层的表面，且围绕该环型闸，该第一电极与该第二电极其中之一为该二极管之一阴极，耦合至一第一接合垫，该第一电极与该第二电极其中的另一为该二极管之一阳极，耦合至一第二接合垫。
-
公开(公告)号：CN1237615C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN02105023.6
申请日：2002-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开一二极管及相关静电放电防护电路，该二极管包含一第一导电型的第一半导体层及一第二导电型的MOS晶体管，该第一半导体层作为该二极管之一第一电极，该MOS晶体管，包含一环型栅、一第二导电型的第一源/漏掺杂区及一第二导电型的第二源/漏掺杂区，该环型栅绝缘地设于该第一半导体层上，以阻止STI厚氧化层的生成，该第一源/漏掺杂区形成于该环型栅极所围绕的该第一半导体层的表面，作为该二极管之一第二电极，该第二导电型的第二源/漏掺杂区形成于该第一半导体层表面，且围绕该环型栅，该第一电极与该第二电极其中之一为该二极管之一阴极，耦合至一第一接合垫，该第一电极与该第二电极其中的另一为该二极管之一阳极，耦合至一第二接合垫。
-
公开(公告)号：CN1209816C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN02104721.9
申请日：2002-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有深阱区结构的静电放电(ESD)防护组件及相关的ESD防护电路，ESD防护组件设于一耦接至一低电位电压源的P型基底上，其包含有一横向硅控整流器及一深N型阱，横向硅控整流器有一p型层、一N型层、一第一N型阱以及一第一P型阱，该p型层作为该SCR的一阳极，该N型层作为该SCR的一阴极，该第一N型阱设于该p型层与该N型层之间，邻接至该p型层，该第一P型阱邻接至该N型层与该第一N型阱，该深N型阱设于该第一P型阱与该P型基底之间，用以隔绝该第一P型阱至该P型基底之间的电连接。本发明的ESD防护组件可以被自由的串接多个，以提高ESD防护电路的总保持电压，并预防栓锁事件的发生。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.026 seconds)
