公开(公告)号：CN112578642B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202010009130.7

申请日：2020-01-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘如淦 ,  张惠政 ,  陈佳政 ,  谢志宏 ,  陈亮吟 ,  孙书辉 ,  林纬良 ,  张雅惠 ,  苏怡年 ,  严永松 ,  张家峰 ,  叶雅雯 ,  沈育佃

IPC: G03F7/20

Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。在一种形成图案的方法中，在底层上方形成光致抗蚀剂层，将光致抗蚀剂层曝光于承载图案信息的光化辐射，对经曝光的光致抗蚀剂层进行显影以形成经显影的抗蚀剂图案，将定向蚀刻操作应用于经显影的抗蚀剂图案以形成经修整的抗蚀剂图案，以及使用经修整的抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来对底层进行图案化。

公开(公告)号：CN113053764A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202110102885.6

申请日：2021-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈儒莹 ,  李哲言 ,  张家峰 ,  林华泰 ,  黄得智 ,  孙启元 ,  黄建元

IPC: H01L21/66

Abstract: 本公开涉及用于检查图案缺陷的方法。在一种用于检查图案缺陷的方法中，在底层之上形成多个图案。多个图案彼此电隔离。用电子束扫描多个图案的一部分以使多个图案带电。获得从多个图案的经扫描部分发射的二次电子的强度。搜索多个图案中的显示出与多个图案中的其他图案不同的二次电子的强度的一个或多个图案。

公开(公告)号：CN112578642A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202010009130.7

申请日：2020-01-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘如淦 ,  张惠政 ,  陈佳政 ,  谢志宏 ,  陈亮吟 ,  孙书辉 ,  林纬良 ,  张雅惠 ,  苏怡年 ,  严永松 ,  张家峰 ,  叶雅雯 ,  沈育佃

IPC: G03F7/20

Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。在一种形成图案的方法中，在底层上方形成光致抗蚀剂层，将光致抗蚀剂层曝光于承载图案信息的光化辐射，对经曝光的光致抗蚀剂层进行显影以形成经显影的抗蚀剂图案，将定向蚀刻操作应用于经显影的抗蚀剂图案以形成经修整的抗蚀剂图案，以及使用经修整的抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来对底层进行图案化。