半导体结构及其制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115565997A

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202210223250.6

    申请日:2022-03-09

    Inventor: 高士翔 张启文

    Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。本发明实施例涉及一种半导体结构。所述半导体结构包含衬底及金属化层。所述金属化层经放置于所述衬底上方。所述金属化层包含第一信号线、第二信号线及第三信号线,其中所述第一信号线、所述第二信号线及所述第三信号线经布置于电源轨与平行于所述电源轨的接地轨之间的第一行中。所述第一信号线与所述第二信号线之间的第一距离不同于所述第二信号线与所述第三信号线之间的第二距离。还提供一种用于制造半导体结构的方法。

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