公开(公告)号：CN219873540U

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202320965051.2

申请日：2023-04-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈昶达 ,  温明璋 ,  游国丰 ,  戴振宇 ,  李筠 ,  庄博雅 ,  杨峻铭 ,  刘又荣 ,  杨雅婷

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417

Abstract: 本实用新型涉及半导体装置，提供具有取代间隔物结构的装置与形成这样的装置的方法。此方法包含形成初始间隔物结构，其中此初始间隔物结构具有用于选定的蚀刻剂的初始蚀刻速率。此方法更包含去除初始间隔物结构的一部分，其中不去除初始间隔物结构的剩余部分。此外，此方法包含形成取代间隔物结构相邻于初始间隔物结构的剩余部分，以形成组合间隔物结构，其中组合间隔物结构具有用于选定的蚀刻剂的中间速率，其小于用于选定的蚀刻剂的初始速率。此外，此方法包含用选定的蚀刻剂蚀刻组合间隔物结构以形成最终间隔物结构。