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1.

发明公开
晶体管无效

公开(公告)号：CN113299759A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110571787.7

申请日：2021-05-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马可范达尔 , 布兰汀杜里兹 , 乔治奥斯韦理安尼堤斯 , 荷尔本朵尔伯斯 , 马礼修

IPC: H01L29/78 , H01L29/10

Abstract: 一种晶体管包括第一栅极电极、复合沟道层、第一栅极介电层以及源极/漏极接触件。复合沟道层在第一栅极电极上，且包括依序堆叠的第一覆盖层、结晶半导体氧化物层以及第二覆盖层。第一栅极介电层位于第一栅极电极与复合沟道层之间。源极/漏极接触件设置在复合沟道层上。

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