公开(公告)号：CN116456815A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310048421.0

申请日：2023-01-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王培任 ,  高境鸿 ,  李梓光 ,  何孟昌 ,  巫昆懋

IPC: H10N97/00

Abstract: 揭露一种形成电容器的方法与电容器。此方法包含形成金属化层的一部分于基板上，形成介层窗层于基板上，以及形成第一电极于金属化层与介层窗层之间，其中第一电极电性连接金属化层。此方法亦包含形成第二电极于金属化层与介层窗层之间，其中第二电极电性连接介层窗层；以及形成介电层于第一电极与第二电极之间，其中除了通过金属化层外，第一电极不与任何其他导体电性连接，其中除了通过介层窗层外，第二电极不与任何其他导体电性连接。

公开(公告)号：CN102593096B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201210012935.2

申请日：2012-01-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 巫昆懋 ,  林志勋 ,  叶玉隆 ,  蔡冠智

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L21/7687 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53295 ,  H01L28/10 ,  H01L28/40 ,  H01L28/88 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 多个金属层包括顶部金属层。将超厚金属(UTM)层设置在所述顶部金属层上方，其中，没有额外的金属层定位在UTM层和顶部金属层之间。将金属-绝缘体-金属(MIM)电容器设置在UTM层下方并且设置在顶部金属层上方。本发明还公开了一种在顶部金属层上形成金属-绝缘体-金属电容器。

公开(公告)号：CN102593096A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210012935.2

申请日：2012-01-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 巫昆懋 ,  林志勋 ,  叶玉隆 ,  蔡冠智

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L21/7687 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53295 ,  H01L28/10 ,  H01L28/40 ,  H01L28/88 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 多个金属层包括顶部金属层。将超厚金属(UTM)层设置在所述顶部金属层上方，其中，没有额外的金属层定位在UTM层和顶部金属层之间。将金属-绝缘体-金属(MIM)电容器设置在UTM层下方并且设置在顶部金属层上方。本发明还公开了一种在顶部金属层上形成金属-绝缘体-金属电容器。