公开(公告)号：CN110034070B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN201811447839.4

申请日：2018-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 孟繁舜 ,  陈皇魁 ,  谢旻谚

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/768

Abstract: 根据一些实施例，本发明提供了一种制造集成电路的方法。该方法包括在半导体衬底的鳍式有源区上形成源极和漏极；在源极和漏极上沉积层间介电(ILD)层；图案化ILD层以形成分别与源极和漏极对准的第一接触孔和第二接触孔；在第一接触孔中形成介电材料层；以及分别在第一接触孔和第二接触孔中形成第一导电部件和第二导电部件。本发明的实施例还提供了具有嵌入式存储器件的结构和集成电路结构。

公开(公告)号：CN110034070A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811447839.4

申请日：2018-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 孟繁舜 ,  陈皇魁 ,  谢旻谚

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/768

Abstract: 根据一些实施例，本发明提供了一种制造集成电路的方法。该方法包括在半导体衬底的鳍式有源区上形成源极和漏极；在源极和漏极上沉积层间介电(ILD)层；图案化ILD层以形成分别与源极和漏极对准的第一接触孔和第二接触孔；在第一接触孔中形成介电材料层；以及分别在第一接触孔和第二接触孔中形成第一导电部件和第二导电部件。本发明的实施例还提供了具有嵌入式存储器件的结构和集成电路结构。