公开(公告)号：CN110660906A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910575165.4

申请日：2019-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 葛雷维古帕塔亚 ,  威廉·J·加拉格尔 ,  吴志强

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明一些实施例提供磁性存储装置。磁性存储装置包括底电极，与第一合成反铁磁层，其包括第一钉扎层与第二钉扎层位于底电极上。第一钉扎层与第二钉扎层具有相反的磁化方向且隔有第一间隔物层。磁性存储装置亦包括参考层，位于第一对钉扎层上；以及自由层，位于参考层上并与参考层隔有穿隧阻障层。磁性存储装置还包括第二合成反铁磁层，其包括第三钉扎层与第四钉扎层于自由层上，且第三钉扎层与第四钉扎层具有相反的磁化方向且隔有第二间隔物层。

公开(公告)号：CN109860386B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN201810980685.9

申请日：2018-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林世杰 ,  于淳 ,  威廉·J·加拉格尔

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02

Abstract: 本发明的实施例提供了磁阻式随机存取存储器及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，形成磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元结构。MRAM单元结构包括底电极、磁隧道结(MTJ)堆叠件和顶电极。在MRAM单元结构上方形成第一绝缘覆盖层。在第一绝缘覆盖层上方形成第二绝缘覆盖层。形成层间介电(ILD)层。在ILD层中形成接触开口，从而暴露第二绝缘覆盖层。去除第二绝缘覆盖层的部分和第一绝缘覆盖层的部分，从而暴露顶电极。在与顶电极接触的开口中形成导电层。第二绝缘覆盖层具有吸氧特性。

公开(公告)号：CN109860386A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201810980685.9

申请日：2018-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林世杰 ,  于淳 ,  威廉·J·加拉格尔

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02

Abstract: 本发明的实施例提供了磁阻式随机存取存储器及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，形成磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元结构。MRAM单元结构包括底电极、磁隧道结(MTJ)堆叠件和顶电极。在MRAM单元结构上方形成第一绝缘覆盖层。在第一绝缘覆盖层上方形成第二绝缘覆盖层。形成层间介电(ILD)层。在ILD层中形成接触开口，从而暴露第二绝缘覆盖层。去除第二绝缘覆盖层的部分和第一绝缘覆盖层的部分，从而暴露顶电极。在与顶电极接触的开口中形成导电层。第二绝缘覆盖层具有吸氧特性。

公开(公告)号：CN108806739A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201711242526.0

申请日：2017-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 池育德 ,  李建毅 ,  吴正洲 ,  邱奕介 ,  史毅骏 ,  威廉·J·加拉格尔

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C11/1677 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675

Abstract: 本揭露涉及存储器的写入算法。本发明实施例涉及一种用于验证存储器单元(例如非易失性存储器单元)中的写入操作的方法，其包含：执行所述存储器单元的第一读取操作以测量与所述存储器单元相关联的第一电流；和比较与所述存储器单元相关联的所测量的第一电流与第一预定阈值电流以确定所述写入操作是否已改变所述存储器单元的状态。如果与所述存储器单元相关联的所测量的第一电流指示所述写入操作已改变所述存储器单元的状态，那么所述方法进一步包含：执行所述存储器单元的第二读取操作以测量与所述存储器单元相关联的第二电流；且比较与所述存储器单元相关联的所测量的第二电流与第二预定阈值电流以确定所述写入操作是否已将所述存储器单元的状态改变到所要状态或中间状态。