公开(公告)号：CN109768064A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201810523369.9

申请日：2018-05-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾皇文 ,  吴正洲 ,  张哲睿

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  G11C11/16

Abstract: 一种包括磁性随机存取存储器的半导体装置。磁性随机存取存储器包括多个磁性随机存取存储器单元。多个磁性随机存取存储器单元包括第一类型磁性随机存取存储器单元及第二类型磁性随机存取存储器单元。每个磁性随机存取存储器单元中包括磁性隧道结层，磁性隧道结层包括被钉扎磁性层、隧穿势垒层及自由磁性层。第一类型与第二类型磁性随机存取存储器单元的磁性隧道结膜堆叠的尺寸不同。在一或多个以上及以下实施例中，第一类型与第二类型磁性随机存取存储器单元的磁性隧道结膜堆叠的宽度不同。

公开(公告)号：CN108806739A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201711242526.0

申请日：2017-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 池育德 ,  李建毅 ,  吴正洲 ,  邱奕介 ,  史毅骏 ,  威廉·J·加拉格尔

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C11/1677 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675

Abstract: 本揭露涉及存储器的写入算法。本发明实施例涉及一种用于验证存储器单元(例如非易失性存储器单元)中的写入操作的方法，其包含：执行所述存储器单元的第一读取操作以测量与所述存储器单元相关联的第一电流；和比较与所述存储器单元相关联的所测量的第一电流与第一预定阈值电流以确定所述写入操作是否已改变所述存储器单元的状态。如果与所述存储器单元相关联的所测量的第一电流指示所述写入操作已改变所述存储器单元的状态，那么所述方法进一步包含：执行所述存储器单元的第二读取操作以测量与所述存储器单元相关联的第二电流；且比较与所述存储器单元相关联的所测量的第二电流与第二预定阈值电流以确定所述写入操作是否已将所述存储器单元的状态改变到所要状态或中间状态。