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公开(公告)号:CN110416082A
公开(公告)日:2019-11-05
申请号:CN201811330980.6
申请日:2018-11-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/762
Abstract: 本揭露涉及具有低随机电报信号噪声的半导体装置。本发明实施例涉及一种半导体装置,其包括源极/漏极扩散区域及第一掺杂区域。所述源极/漏极扩散区域界定于第一隔离结构与第二隔离结构之间。所述源极/漏极扩散区域包含源极区域、漏极区域及装置沟道。所述装置沟道位于所述源极区域与所述漏极区域之间。所述第一掺杂区域在从所述源极区域到所述漏极区域的方向上沿所述装置沟道与所述第一隔离结构之间的第一结安置。所述第一掺杂区域与所述源极区域及所述漏极区域中的至少一者分离,且具有高于所述装置沟道的掺杂物浓度的掺杂物浓度。本揭露的半导体装置具有低随机电报信号噪声及较少缺陷。
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公开(公告)号:CN107018342A
公开(公告)日:2017-08-04
申请号:CN201610919142.7
申请日:2016-10-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14609 , H04N5/378 , H04N5/374
Abstract: 本发明的实施例公开了一种包括模数转换器电路和控制电路的器件。模数转换器电路将来自像素阵列的至少一个模拟像素输出信号转换为至少一个数字信号。模数转换器电路包括比较器,根据参考信号和来自像素阵列的模拟像素输出信号,比较器生成比较器输出信号以用于有效地使能和不使能生成数字信号的计数器。根据比较器输出信号,控制电路不使能比较器。本发明的实施例还提供了一种成像器件的操作方法。
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公开(公告)号:CN104052943A
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201410082858.7
申请日:2014-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 一种传感器系统包括像素阵列、列单元和补偿电路。像素阵列被配置成提供像素列数据。列单元被配置成由像素列数据生成偏移数据输出信号。偏移数据输出信号包括数字偏移。补偿电路被配置成从偏移数据输出信号中除去数字偏移。补偿电路还被配置成生成数据输出信号。本发明还提供了一种用于降低传感器的瞬态电流的系统和方法。
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公开(公告)号:CN103905749A
公开(公告)日:2014-07-02
申请号:CN201310097361.8
申请日:2013-03-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378
CPC classification number: H04N5/378 , H04N5/3575
Abstract: 本文提供了一种或多种用于偏置控制的技术或者系统。在一些实施例中,偏置控制涉及对图像传感器的一个或多个像素的列进行偏置。在一些实施例中,相关电路包括复位晶体管、源极跟随器晶体管、第一转移晶体管、第一偏置晶体管、第二偏置晶体管以及连接至第二偏置晶体管的开关。在一些实施例中,第一偏置晶体管和第二偏置晶体管在第一时间对像素的列进行偏置。在一些实施例中,截止第二偏置晶体管,从而在第二时间去除第二偏置。以这种方式,至少因为当第二偏置晶体管工作时能够加速建立时间并且当断开时能实现更宽的像素操作范围而提高了图像晶体管的性能。
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公开(公告)号:CN104052943B
公开(公告)日:2018-07-10
申请号:CN201410082858.7
申请日:2014-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 一种传感器系统包括像素阵列、列单元和补偿电路。像素阵列被配置成提供像素列数据。列单元被配置成由像素列数据生成偏移数据输出信号。偏移数据输出信号包括数字偏移。补偿电路被配置成从偏移数据输出信号中除去数字偏移。补偿电路还被配置成生成数据输出信号。本发明还提供了一种用于降低传感器的瞬态电流的系统和方法。
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公开(公告)号:CN103905749B
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201310097361.8
申请日:2013-03-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378
CPC classification number: H04N5/378 , H04N5/3575
Abstract: 本文提供了一种或多种用于偏置控制的技术或者系统。在一些实施例中,偏置控制涉及对图像传感器的一个或多个像素的列进行偏置。在一些实施例中,相关电路包括复位晶体管、源极跟随器晶体管、第一转移晶体管、第一偏置晶体管、第二偏置晶体管以及连接至第二偏置晶体管的开关。在一些实施例中,第一偏置晶体管和第二偏置晶体管在第一时间对像素的列进行偏置。在一些实施例中,截止第二偏置晶体管,从而在第二时间去除第二偏置。以这种方式,至少因为当第二偏置晶体管工作时能够加速建立时间并且当断开时能实现更宽的像素操作范围而提高了图像晶体管的性能。
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公开(公告)号:CN103681703A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201310004213.7
申请日:2013-01-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H04N5/374
Abstract: 本发明提供了3D堆叠背照式图像传感器及其制造方法。该3D图像传感器包括其上带有像素阵列的上部芯片。第二芯片包括与像素阵列的列和行相关的多个列电路和行电路,并且这些列电路和行电路被设置在对应的列电路和行电路区域中,这些列电路和行电路区域被布置在多个组中。芯片间接合焊盘形成在每个芯片上。在一个实施例中,第二芯片上的芯片间接合焊盘被线性地布置并且包括在列电路区域和行电路区域内。在其他实施例中,芯片间接合焊盘彼此交错。在一些实施例中,像素阵列的行和列包括多个信号线并且对应的列电路区域和行电路区域还包括多个芯片间接合焊盘。
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公开(公告)号:CN107689346A
公开(公告)日:2018-02-13
申请号:CN201710550692.0
申请日:2017-07-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L29/423
Abstract: 本发明实施例提供用于保护装置的电路及方法。应受保护的第一装置包含第一厚度的栅极介电质。第二装置包含第二厚度的栅极介电质,所述第二厚度小于所述第一厚度。栅极由所述第一装置及所述第二装置共享。
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公开(公告)号:CN107222693A
公开(公告)日:2017-09-29
申请号:CN201611050770.2
申请日:2016-11-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N1/03 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/37455 , H04N5/3456 , H04N5/378 , H04N5/374 , H01L27/14643 , H04N1/03 , H04N5/3745
Abstract: 本发明实施例揭示一种CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器CIS。所述CIS包含具有多个行和多个列的像素元件阵列。多个列输出信号路径耦合到所述像素元件阵列的所述多个列中的每一者。列选路矩阵耦合到用于所述多个列中的每一者的多个列输出信号路径中的每一者。多个模/数转换器ADC耦合到所述列选路矩阵。所述列选路矩阵经配置以在下取样读取操作期间,将至少一个列输出信号路径选路到所述多个ADC中的每一者。
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公开(公告)号:CN102377954B
公开(公告)日:2013-11-20
申请号:CN201110005225.2
申请日:2011-01-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
CPC classification number: H01L27/14643 , H04N5/3577 , H04N5/374 , H04N5/376
Abstract: 本发明公开了一种CMOS影像传感器与提供影像传感器的列控制信号的方法,其中所述互补式金氧半导体(CMOS)影像传感器,其包含:一像素阵列包含具有多个个别单元像素列的多个单元像素耦合至各自的列控制信号线;以及一缓冲器包含多个列控制信号驱动器。每一驱动器耦合至各自的列控制信号线,且装配来当控制信号线处于作用状态时,响应于一输入脉波,提供列控制信号脉波给各自的列控制信号线,以及装配来当各自的列控制信号线处于非作用状态时,将列控制信号线偏压于接地电压。每一驱动器在列控制信号线处于作用状态时,具有第一驱动能力,且在列控制信号线处于非作用状态时,具有大于第一驱动能力的第二驱动能力。
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