具有低随机电报信号噪声的半导体装置

    公开(公告)号:CN110416082A

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201811330980.6

    申请日:2018-11-09

    Abstract: 本揭露涉及具有低随机电报信号噪声的半导体装置。本发明实施例涉及一种半导体装置,其包括源极/漏极扩散区域及第一掺杂区域。所述源极/漏极扩散区域界定于第一隔离结构与第二隔离结构之间。所述源极/漏极扩散区域包含源极区域、漏极区域及装置沟道。所述装置沟道位于所述源极区域与所述漏极区域之间。所述第一掺杂区域在从所述源极区域到所述漏极区域的方向上沿所述装置沟道与所述第一隔离结构之间的第一结安置。所述第一掺杂区域与所述源极区域及所述漏极区域中的至少一者分离,且具有高于所述装置沟道的掺杂物浓度的掺杂物浓度。本揭露的半导体装置具有低随机电报信号噪声及较少缺陷。

    成像器件及其操作方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107018342A

    公开(公告)日:2017-08-04

    申请号:CN201610919142.7

    申请日:2016-10-21

    Inventor: 周国煜 叶尚府

    CPC classification number: H01L27/14609 H04N5/378 H04N5/374

    Abstract: 本发明的实施例公开了一种包括模数转换器电路和控制电路的器件。模数转换器电路将来自像素阵列的至少一个模拟像素输出信号转换为至少一个数字信号。模数转换器电路包括比较器,根据参考信号和来自像素阵列的模拟像素输出信号,比较器生成比较器输出信号以用于有效地使能和不使能生成数字信号的计数器。根据比较器输出信号,控制电路不使能比较器。本发明的实施例还提供了一种成像器件的操作方法。

    偏置控制
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103905749A

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201310097361.8

    申请日:2013-03-25

    Inventor: 周国煜 赵亦平

    CPC classification number: H04N5/378 H04N5/3575

    Abstract: 本文提供了一种或多种用于偏置控制的技术或者系统。在一些实施例中,偏置控制涉及对图像传感器的一个或多个像素的列进行偏置。在一些实施例中,相关电路包括复位晶体管、源极跟随器晶体管、第一转移晶体管、第一偏置晶体管、第二偏置晶体管以及连接至第二偏置晶体管的开关。在一些实施例中,第一偏置晶体管和第二偏置晶体管在第一时间对像素的列进行偏置。在一些实施例中,截止第二偏置晶体管,从而在第二时间去除第二偏置。以这种方式,至少因为当第二偏置晶体管工作时能够加速建立时间并且当断开时能实现更宽的像素操作范围而提高了图像晶体管的性能。

    偏置控制
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103905749B

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201310097361.8

    申请日:2013-03-25

    Inventor: 周国煜 赵亦平

    CPC classification number: H04N5/378 H04N5/3575

    Abstract: 本文提供了一种或多种用于偏置控制的技术或者系统。在一些实施例中,偏置控制涉及对图像传感器的一个或多个像素的列进行偏置。在一些实施例中,相关电路包括复位晶体管、源极跟随器晶体管、第一转移晶体管、第一偏置晶体管、第二偏置晶体管以及连接至第二偏置晶体管的开关。在一些实施例中,第一偏置晶体管和第二偏置晶体管在第一时间对像素的列进行偏置。在一些实施例中,截止第二偏置晶体管,从而在第二时间去除第二偏置。以这种方式,至少因为当第二偏置晶体管工作时能够加速建立时间并且当断开时能实现更宽的像素操作范围而提高了图像晶体管的性能。

    3D堆叠背照式图像传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN103681703A

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201310004213.7

    申请日:2013-01-06

    Abstract: 本发明提供了3D堆叠背照式图像传感器及其制造方法。该3D图像传感器包括其上带有像素阵列的上部芯片。第二芯片包括与像素阵列的列和行相关的多个列电路和行电路,并且这些列电路和行电路被设置在对应的列电路和行电路区域中,这些列电路和行电路区域被布置在多个组中。芯片间接合焊盘形成在每个芯片上。在一个实施例中,第二芯片上的芯片间接合焊盘被线性地布置并且包括在列电路区域和行电路区域内。在其他实施例中,芯片间接合焊盘彼此交错。在一些实施例中,像素阵列的行和列包括多个信号线并且对应的列电路区域和行电路区域还包括多个芯片间接合焊盘。

    CMOS影像传感器与提供影像传感器的列控制信号的方法

    公开(公告)号:CN102377954B

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201110005225.2

    申请日:2011-01-06

    Inventor: 周国煜 赵亦平

    CPC classification number: H01L27/14643 H04N5/3577 H04N5/374 H04N5/376

    Abstract: 本发明公开了一种CMOS影像传感器与提供影像传感器的列控制信号的方法,其中所述互补式金氧半导体(CMOS)影像传感器,其包含:一像素阵列包含具有多个个别单元像素列的多个单元像素耦合至各自的列控制信号线;以及一缓冲器包含多个列控制信号驱动器。每一驱动器耦合至各自的列控制信号线,且装配来当控制信号线处于作用状态时,响应于一输入脉波,提供列控制信号脉波给各自的列控制信号线,以及装配来当各自的列控制信号线处于非作用状态时,将列控制信号线偏压于接地电压。每一驱动器在列控制信号线处于作用状态时,具有第一驱动能力,且在列控制信号线处于非作用状态时,具有大于第一驱动能力的第二驱动能力。

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